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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
Intersil 半导体 产品 是 出售 用 描述 仅有的. Intersil 公司 reserves 这 正确的 至 制造 改变 在 电路 设计 和/或者 规格 在 任何 时间 和-
输出 注意. accordingly, 这 reader 是 cautioned 至 核实 那 数据 薄板 是 电流 在之前 放置 顺序. 信息 陈设 用 Intersil 是 相信 至 是 精确 和
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republic 的 中国
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传真: (886) 2 2715 3029
HFA3983
薄的 shrink 小 外形 exposed 垫子 塑料 包装 (eptssop)
α
INDEX
范围
E1
D
N
123
-b-
0.10(0.004) C AM BS
e
-一个-
b
M
-c-
A1
一个
seating 平面
0.10(0.004)
c
E
0.25(0.010) BM M
L
0.25
0.010
GAUGE
平面
A2
0.05(0.002)
顶 视图
P1
123
P
bottom 视图
N
m28.173a
28 含铅的 薄的 shrink 小 外形 塑料 包装
标识
英寸 毫米
NOTESMIN 最大值 最小值 最大值
一个 - 0.047 - 1.20 -
A1 0.002 0.006 0.05 0.15 -
A2 0.031 0.051 0.80 1.05 -
b 0.0075 0.0118 0.19 0.30 9
c 0.0035 0.0079 0.09 0.20 -
D 0.378 0.386 9.60 9.80 3
E1 0.169 0.177 4.30 4.50 4
e 0.026 bsc 0.65 bsc -
E 0.246 0.256 6.25 6.50 -
L 0.0177 0.0295 0.45 0.75 6
N28 287
α
0
o
8
o
0
o
8
o
-
P - 0.138 - 3.50 11
P1 - 0.118 - 3.0 11
rev. 1 6/99notes:
1. 这些 包装 维度 是 在里面 容许的 维度
的 电子元件工业联合会 mo-153-aet, 公布 e.
2. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi y14.5m
-
1982.
3. 维度 “D” 做 不 包含 模型 flash, 突出物 或者
门 burrs. 模型 flash, protrusion 和 门 burrs 将要 不
超过 0.15mm (0.006 inch) 每 一侧.
4. 维度 “e1” 做 不 包含 interlead flash 或者 protru-
sions. Interlead flash 和 突出物 将要 不 超过
0.15mm (0.006 inch) 每 一侧.
5. 这 chamfer 在 这 身体 是 optional. 如果 它 是 不 呈现, 一个 visual
index 特性 必须 是 located 在里面 这 crosshatched 范围.
6. “l” 是 这 长度 的 终端 为 焊接 至 一个 基质.
7. “n” 是 这 号码 的 终端 positions.
8. 终端 号码 是 显示 为 涉及 仅有的.
9. 维度 “b” 做 不 包含 dambar protrusion. 准许-
能 dambar protrusion 将要 是 0.08mm (0.003 inch) 总的
在 excess 的 “b” 维度 在 最大 材料 情况.
最小 空间 在 protrusion 和 调整 含铅的 是
0.07mm (0.0027 inch).
10. controlling 维度: millimeter. 转变 inch di-
mensions 是 不 必然地 精确的. (angles 在 degrees)
11. 维度 “p” 和 “p1” 是 热的 和/或者 电的 en-
hanced 变化. 值 显示 是 最大 大小 的 ex-
posed 垫子 在里面 含铅的 计数 和 身体 大小.
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