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资料编号:986882
 
资料名称:MMBV109LT1
 
文件大小: 146K
   
说明
 
介绍:
Silicon Epicap Diode
 
 


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1

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leshan 无线电 公司, 有限公司.
mbv109. mmbv109*. mv209*
–2/2
mbv109t1 mmbv109lt1 mv209
C
T
, 电容 (pf)
q , 图示 的 merit
1000
100
10
10 100 1000
40
36
32
28
24
20
16
12
8
4
0
1 3 10 30 100
f
, 频率 ( mhz )
图示 2. 图示 的 merit
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 1. 二极管 电容
1.04
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
0.97
0.96
–75 –50 –25 0 +25 +50 +75 +100 +125
T
一个
, 包围的 温度(
°C
)
图示 4. 二极管 电容
C
T
, 二极管电容(normalized)
100
20
10
2.0
1.0
0.2
0.1
0.02
0.01
0.002
0.001
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
T
一个
, 包围的 温度(
°C
)
图示 3 . 泄漏 电流
I
R
, 反转 电流 (na)
注释 在 测试 和 规格
1. c
R
是 这 比率 的 c
t
量过的 在 3.0 vdc 分隔 用 c
t
量过的 在 25 vdc.
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