4-263
telcom 半导体, 公司
7
6
5
4
3
1
2
8
逻辑-输入 cmos
四方形 驱动器
TC4467
TC4468
TC4469
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入
V
IH
逻辑 1, 高 输入 电压 (便条 3) 2.4 — — V
V
IL
逻辑 0, 低 输入 电压 (便条 3) — — 0.8 V
I
在
输入 电流 0V
≤
V
在
≤
V
DD
– 10 — 10
µ
一个
输出
V
OH
高 输出 电压 I
加载
= 100
µ
一个 (便条 1) V
DD
– 0.025 — — V
V
OL
低 输出 电压 I
加载
= 10 毫安 (便条 1) — — 0.30 V
R
O
输出 阻抗 I
输出
= 10 毫安, v
DD
= 18v — 20 30
Ω
I
PK
顶峰 输出 电流 — 1.2 — 一个
I 获得-向上 保护 4.5v
≤
V
DD
≤
16V 500 — — 毫安
承受 反转 电流
切换 时间
t
R
上升 时间 图示 1 — — 50 nsec
t
F
下降 时间 图示 1 — — 50 nsec
t
D1
延迟 时间 图示 1 — — 100 nsec
t
D2
延迟 时间 图示 1 — — 100 nsec
电源 供应
I
S
电源 供应 电流 — — 8 毫安
I
S
电源 供应 电压 便条 2 4.5 — 18 V
电的 特性:
量过的 全部地 运行 温度 范围 和 4.5v
≤
V
DD
≤
18v,
除非 否则 指定.
注释:
1. totem-柱子 输出 应当 不 是 paralleled 因为 这 传播 延迟 differences 从 一个 至 这 其它 可以 导致 一个 驱动器 至
驱动 高 一个 few nanoseconds 在之前 另一. 这 结果 电流 尖刺, 虽然 短的, 将 decrease 这 生命 的 这 设备.
2. 当 驱动 所有 四 输出 同时发生地 在 这 一样 方向, v
DD
将要 是 限制 至 16v. 这个 减少 这 chance 那 内部的
dv/dt 将 导致 高-电源 消耗 在 这 设备.
3. 这 输入 门槛 有 关于 50 mv 的 hysteresis 集中 在 大概 1.5v. 慢 移动的 输入 将 强迫 这 设备 至
dissipate 高 顶峰 电流 作 这 输入 transitions 通过 这个 带宽. 输入 上升 时间 应当 是 保持 在下 5
µ
s 至 避免 高 内部的
顶峰 电流 在 输入 transitions. 静态的 输入 水平 应当 也 是 maintained 在之上 这 最大 或者 在下 这 最小 输入
水平 指定 在 这 "电的 特性" 至 避免 增加 电源 消耗 在 这 设备.
管脚 配置
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
1A
1B
2A
2B
3A
3B
地
V
1Y
2Y
3Y
4Y
4B
4A
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
16
13
12
11
10
9
1A
1B
2A
2B
3A
3B
地
地
V
1Y
2Y
3Y
4Y
4B
4A
DD
V
DD
15
14
tc4467/8/9
tc4467/8/9
16-管脚 soic (宽) 14-管脚 塑料 插件/cerdip
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