IC42S32200
IC42S32200L
整体的 电路 解决方案 公司
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dr036-0d 02/04/2005
读 至 precharge (cas#latency =2,3)
5 写 command
(ras#=”h”,cas#=”l”,we#=”l”,bs =bank,a10 =”l”,a0-a7 =column address)
这 写 command 是 使用 至 写 一个 burst 的 数据 在 consecutive 时钟 循环 从 一个 起作用的 行 在 一个 起作用的
bank.这 bank 必须 是 起作用的 为 在 least trcd(最小值.)在之前 这 写 command 是 issued.在 写 bursts,
这 第一 有效的 数据-在 元素 将 是 注册 coincident 和 这 写 command.subsequent 数据 elements
将 是 注册 在 各自 successive 积极的 时钟 边缘 (谈及 至 这 下列的 图示).这 dqs 仍然是 和 高-
阻抗 在 这 终止 的 这 burst 除非 另一 command 是 initiated.这 burst 长度 和 burst sequence 是
决定 用 这 模式 寄存器,这个 是 already 编写程序.一个 全部-页 burst 将 continue 直到 terminated (在
这 终止 的 这 页 它 将 wrap 至 column 0 和 continue).
CLK
COMMAND
读 一个
NOP
NOP
NOP
NOP
活动
NOP
NOP Precharge
dout 一个
0
dout 一个
1
dout 一个
2
dout 一个
3
dout 一个
0
dout 一个
1
dout 一个
2
dout 一个
3
地址
t
RP
bank,
col 一个
bank(s)
cas# latency=2
t
CK2
, dqs
cas# latency=3
t
CK3
, dqs
T0 T2T1 T3 T4 T5 T6 T7 T8
bank,
行
CLK
COMMAND
din 一个
3
NOP
WRITEA
I
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP NOP
din 一个
0
din 一个
1
din 一个
2
dq0 - dq3
这 第一 数据 元素 和 这 写
是 注册 在 这 一样 时钟 边缘.
extra 数据 是 masked.
don’t小心
T0 T2T1 T3 T4 T5 T6 T7 T8
burst 写 运作 (burst 长度 =4,cas#latency =2,3)
一个 写 burst 没有 这 autoprecharge 函数 将 是 interrupted 用 一个 subsequent 写, bankprecharge/
prechargeall,或者 读 command 在之前 这 终止 的 这 burst 长度.一个 中断 coming 从 写 command 能
出现 在 任何 时钟 循环 下列的 这 previous 写 command (谈及 至 这 下列的 图示).
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