8430ay-61
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rev. 一个 july 22, 2004
9
整体的
电路
系统, 公司
ics8430-61
500MH
Z
, c
RYSTAL
-
至
-3.3v d
IFFERENTIAL
lvpecl f
REQUENCY
S
YNTHESIZER
这 图式 的 这 ics8430-61 布局 例子 使用 在 这个
布局 指导原则 是 显示 在
图示 5a.
这 ics8430-61 rec-
ommended pcb 板 布局 为 这个 例子 是 显示 在
图示 5b.
这个 布局 例子 是 使用 作 一个 一般 指导原则.
L
AYOUT
G
UIDELINE
F
IGURE
5a. s
CHEMATIC
的
R
ECOMMENDED
L
AYOUT
这 布局 在 这 真实的 系统 将 取决于 在 这 选择
组件 类型, 这 密度 的 这 组件, 这 密度
的 这 查出, 和 这 堆栈 向上 的 这 p.c. 板.
图示 4. c
RYSTAL
I
NPU
t i
NTERFACE
C
RYSTAL
I
NPUT
I
NTERFACE
这 ics8430-61 有 被 典型 和 18pf 并行的
resonant crystals. 这 电容 值, c1 和 c2, 显示
在
图示 4
在下 是 决定 使用 一个 25mhz, 18pf par-
allel resonant 结晶 和 是 选择 至 降低 这 ppm
错误. 这些 一样 电容 值 将 tune 任何 18pf paral-
lel resonant 结晶 在 这 频率 范围 和 其它 pa-
rameters 指定 在 这个 数据 薄板. 这 最佳的 c1 和 c2
值 能 是 slightly 调整 为 不同的 板 layouts.
ICS84332
XTAL_I N
XTAL_OU T
X1
18pf 并行的 cry stal
C2
22p
C1
22p
ics8430-61
R7
10
s_加载
在-
VCC
X1
R4
84
ref_在
C16
10u
s_时钟
IN+
R2
84
VCC
C1
R1
125
C14
0.1u
+
-
FOUTN
s_数据
TL1
zo = 50 ohm
VCC
VCCA
xtal_sel
FOUT
R3
125
TL2
zo = 50 ohm
VCC
C11
0.01u
C2
C15
0.1u
U1
8430-61
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
32
31
30
29
28
27
26
25
M5
M6
M7
M8
N0
N1
N2
VEE
测试
VCC
FOUT1
nFOUT1
VCCO
FOUT0
nFOUT0
VEE
MR
s_时钟
s_数据
s_加载
VCCA
nxtal_sel
ref_在
xtal_在
M4
M3
M2
M1
M0
vco_sel
np_加载
xtal_输出
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