12月 1990 2
飞利浦 半导体 产品 规格
四方形 缓存区/线条 驱动器; 3-状态 74hc/hct125
特性
•
输出 能力: 总线 驱动器
•
I
CC
类别: msi
一般 描述
这 74hc/hct125 是 高-速 si-门 cmos 设备 和 是 管脚 兼容 和 低 电源 肖特基 ttl (lsttl).
它们 是 指定 在 遵从 和 电子元件工业联合会 标准 非. 7a.
这 74hc/hct125 是 四 非-反相的 缓存区/线条 驱动器 和 3-状态 outputs. 这 3-state 输出 (ny) 是 控制
用 这 输出 使能 输入 (n
oe). 一个 高 在 noe 导致 这 输出 至 假设 一个 高 阻抗 止-状态.
这 “125” 是 完全同样的 至 这 “126” 但是 有 起作用的 低 使能 输入.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
= 25
°
c; t
r
= t
f
= 6 ns
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w):
P
D
= c
PD
×
V
CC
2
×
f
i
+
∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz
f
o
= 输出 频率 在 mhz
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf
V
CC
= 供应 电压 在 v
∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 输出
2. 为 hc 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
为 hct 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
−
1.5 v
订货 信息
看
“74hc/hct/hcu/hcmos 逻辑 包装 information”
.
标识 参数 情况
典型
单位
HC HCT
t
PHL
/ t
PLH
传播 延迟 na 至 ny C
L
= 15 pf; v
CC
=5V 9 12 ns
C
I
输入 电容 3.5 3.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 每 缓存区 注释 1 和 2 22 24 pF
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