2003 Jul 25 2
飞利浦 半导体 产品 规格
四方形 2-输入 和 门 74hc08; 74hct08
特性
•
遵守 和 电子元件工业联合会 标准 非. 8-1a
•
静电释放 保护:
hbm eia/jesd22-a114-一个 超过 2000 V
mm eia/jesd22-a115-一个 超过 200 v.
•
指定 从
−
40 至 +85
°
c 和
−
40 至 +125
°
c.
描述
这 74hc/hct08 是 高-速 si-门 CMOS 设备
和 是 管脚 兼容 和 低 电源 肖特基 ttl
(lsttl). 它们 是 指定 在 遵从 和 电子元件工业联合会
标准 非. 7a. 这 74hc/hct08 提供 这 2-输入
和 函数.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
= 6 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
×
N+
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特;
N = 总的 加载 切换 输出;
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 这 输出.
2. 为 74hc08: 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
.
为 74hct08: 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
−
1.5 v.
函数 表格
便条
1. H = 高 电压 水平的;
L = 低 电压 水平的.
标识 参数 情况
典型
单位
74HC08 74HCT08
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟 na, nb 至 ny C
L
= 15 pf; v
CC
= 5 V 7 11 ns
C
I
输入 电容 3.5 3.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 每 门 注释 1 和 2 10 20 pF
输入 输出
nA nB nY
LLL
LHL
HLL
HHH
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