6.42
idt7027s/l
高-速 32k x 16 双-端口 静态的 内存 军队, 工业的 和 商业的 温度 范围
7
注释:
.
1. 转变 是 量过的 0mv 从 低 或者 高-阻抗 电压 和 输出 测试 加载 (图示 2).
2. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
3. 至 进入 内存,
CE
= v
IL
和
SEM
= v
IH
. 至 进入 semaphore,
CE
= v
IH
和
SEM
= v
IL
.
4. 'x' 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).
5. 谈及 至 碎片 使能 真实 表格.
6. 工业的 温度: 为 其它 speeds, 包装 和 powers 联系 your 销售 办公室.
图示 1. 交流 输出 测试 加载
图示 2. 输出 测试 加载
(为 t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*including scope 和 jig.
dInput pulse levels
输入 上升/下降 时间s
输入 定时 referenceLevels
Output reference levels
Output 加载
地 至 3.0v
5ns 最大值
1.5v
1.5v
图示s 1 和2
3199 tbl 11
3199 drw 04
893
Ω
30pF
347
Ω
5V
数据
输出
BUSY
INT
893
Ω
5pF*
347
Ω
5V
数据
输出
7027X20
com'l 仅有的
7027X25
com'l, ind.
&放大; 军队
7027X35
com'l &放大;
军队
7027X55
com'l &放大;
军队
标识 参数 最小值.最大值.最小值.最大值.最小值.最大值.最小值.最大值.单位
读 循环
t
RC
读 循环 时间 20
____
25
____
35
____
55
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
20
____
25
____
35
____
55 ns
t
ACE
碎片 使能 进入 时间
(3)
____
20
____
25
____
35
____
55 ns
t
ABE
字节 使能 进入 时间
(3)
____
20
____
25
____
35
____
55 ns
t
AOE
输出 使能 进入 时间
____
12
____
13
____
20
____
30 ns
t
OH
输出 hold from 增加ressChange 3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
输出 low-z 时间
(1,2)
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
输出 high-z 时间
(1,2)
____
12
____
15
____
15
____
25 ns
t
PU
碎片 enable至Po我们r 向上 时间
(2,5)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip disable至Po我们r 做wn 时间
(2,5)
____
20
____
25
____
35
____
50 ns
t
SOP
semaphore 标记 更新 脉冲波 (
OE
或者
SEM
)10
____
12
____
15
____
15
____
ns
t
SAA
semaphore 地址 进入 时间
____
20
____
25
____
35
____
55 ns
3199 tbl 12
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