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资料编号:99112
 
资料名称:74HC03N
 
文件大小: 55.97K
   
说明
 
介绍:
Quad 2-input NAND gate
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
12月 1990 2
飞利浦 半导体 产品 规格
四方形 2-输入 与非 门 74hc/hct03
特性
水平的 变换 能力
输出 能力: 标准 (打开 流)
I
CC
类别: ssi
一般 描述
这 74hc/hct03 是 高-速 si-门 cmos 设备
和 是 管脚 兼容 和 低 电源 肖特基 ttl
(lsttl). 它们 是 指定 在 遵从 和 电子元件工业联合会
标准 非. 7a.
这 74hc/hct03 提供 这 2-输入 与非 函数.
这 74hc/hct03 有 打开-流 n-晶体管 输出,
这个 是 不 clamped 用 一个 二极管 连接 至 v
CC
. 在
这 止-状态, i.e. 当 一个 输入 是 低, 这 输出
将 是 牵引的 至 任何 电压 在 地 和 v
Omax
.
这个 准许 这 设备 至 是 使用 作 一个 低-至-高 或者
高-至-低 水平的 shifter. 为 数字的 运作 和
或者-系 输出 产品, 这些 设备 必须 有 一个
拉-向上 电阻 至 establish 一个 逻辑 高 水平的.
快 涉及 数据
= 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
= 6 ns
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
µ
w):
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
+
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) +
(v
O
2
/r
L
)
×
职责 因素 低, 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz
f
o
= 输出 频率 在 mhz
V
O
= 输出 电压 在 v
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf
V
CC
= 供应 电压 在 v
R
L
= 拉-向上 电阻 在 m
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 输出
(v
O
2
/r
L
) = 总 的 输出
2. 为 hc 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
为 hct 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
1.5 v
3. 这 给 值 的 c
PD
是 得到 和:
C
L
= 0 pf 和 r
L
=
订货 信息
“74hc/hct/hcu/hcmos 逻辑 包装 information”
.
标识 参数 情况
典型
单位
HC HCT
t
PZL
/ t
PLZ
传播 延迟 C
L
= 15 pf; r
L
=1 k
; v
CC
= 5 v 8 10 ns
C
I
输入 电容 3.5 3.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 每 门 注释 1, 2 和 3 4.0 4.0 pF
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