商业的 和 工业的 温度 范围
idt 70v27s/l
高-速 3.3v 32k x 16 双-端口 静态的 内存
8
图示 1. 交流 输出 测试 加载
3603 drw 04
590
Ω
30pF
435
Ω
3.3v
数据
输出
BUSY
INT
590
Ω
5pF*
435
Ω
3.3v
数据
输出
Input pulseLevels
Input rise/下降 时间s
Input 定时Re ferenceLevels
Output referenceLevels
输出 load
地 至 3.0v
5ns 最大值
1.5v
1.5v
Figures 1 和2
3603 tbl 11
图示 2. 输出 测试 加载
(为 t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*including scope 和 jig.
注释:
1. 'x' 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (s 或者 l).
2. V
CC
= 3.3v, t
一个
= +25
°
c, 和 是 不 生产 测试. i
CCDC
= 90ma (典型值.)
3. 在 f = f
最大值
,
地址 和 控制 线条 (除了 输出 使能) 是 cycling 在 这 最大 频率 读 循环 的 1/t
rc,
和 使用
“
交流 测试 情况
”
的 输入
水平 的 地 至 3v.
4. f = 0 意思 非 地址 或者 控制 线条 改变.
5. 端口 "一个" 将 是 也 left 或者 正确的 端口. 端口 "b" 是 这 opposite 从 端口 "a".
6. 谈及 至 碎片 使能 真实 表格.
7. 工业的 温度: 为 其它 speeds, 包装 和 powers 联系 your 销售 办公室.
70V27X35
Com'l &放大; ind
70V27X55
com'l 仅有的
标识 参数 测试 情况 版本
典型值
(2)
最大值
典型值
(2)
最大值 单位
I
CC
动态 运算e比率Current
(both ports 起作用的)
CE
= v
IL
, 输出 无能
SEM
= v
IH
f = f
最大值
(3)
com'l S
L
135
135
235
190
125
125
225
180
毫安
ind'l S
L
135
135
270
235
125
125
260
225
I
SB1
保卫用 电流
(bo th ports- ttl level
Inputs)
CE
L
=
CE
R
= v
IH
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
f = f
最大值
(3)
com'l S
L
22
22
45
35
15
15
40
30
毫安
ind'l S
L
22
22
55
45
15
15
50
40
I
SB2
保卫用 电流
(onePort - ttl level
Inputs)
CE
"一个"
= v
IL
和
CE
"b"
= v
IH
(5)
交流tivePort outputsDisabled,
f=f
最大值
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= v
IH
com'l S
L
85
85
140
125
75
75
140
125
毫安
ind'l
S
L
85
85
160
140
75
75
160
140
I
SB3
全部 保卫by current (both
Ports - 所有 cmos level
Inputs)
两个都 端口
CE
L
和
CE
R
>V
CC
- 0.2v
V
在
>V
CC
- 0.2v 或者
V
在
<0.2v, f=0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v
com'l S
L
1.0
0.2
6
3
1.0
0.2
6
3
毫安
ind'l
S
L
1.0
0.2
10
6
1.0
0.2
10
6
I
SB4
全部 保卫by current
(onePort - 所有 cmos
Level inputs)
CE
"一个"
<0.2v 和
CE
"b"
> v
CC
- 0.2v
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> v
CC
- 0.2v
V
在
>V
CC
- 0.2v 或者 v
在
<0.2v
起作用的 端口 输出 无能
f = f
最大值
(3)
com'l S
L
85
85
135
120
75
75
135
120
毫安
ind'l
S
L
85
85
160
135
75
75
160
135
3603tbl 10b
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