march 1988 7
飞利浦 半导体
hcmos 家族 特性 家族 规格
直流 特性 为 74hcu
电压 是 关联 至 地 (地面 = 0 v)
标识 参数
T
amb
(
°
c)
单位
测试 情况
74HCU
V
CC
(v)
V
I
其它
+
25
−
40 至
+
85
−
40 至
+
125
最小值 典型值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
V
IH
高 水平的 输入
电压
1.7 1.4 1.7 1.7 V 2.0
3.6 2.6 3.6 3.6 4.5
4.8 3.4 4.8 4.8 6.0
V
IL
低 水平的 输入
电压
0.6 0.3 0.3 0.3 V 2.0
1.9 0.9 0.9 0.9 4.5
2.6 1.2 1.2 1.2 6.0
V
OH
高 水平的 输出
电压
1.8 2.0 1.8 1.8 V 2.0 V
IH
或者
V
IL
−
I
O
= 20
µ
一个
4.0 4.5 4.0 4.0 4.5
−
I
O
= 20
µ
一个
5.5 6.0 5.5 5.5 6.0
−
I
O
= 20
µ
一个
V
OH
高 水平的 输出
电压
3.98 4.32 3.84 3.7 V 4.5 V
CC
或者
地
−
I
O
= 4.0 毫安
5.48 5.81 5.34 5.2 6.0
−
I
O
= 5.2 毫安
V
OL
低 水平的 输出
电压
0 0.2 0.2 0.2 V 2.0 V
IH
或者
V
IL
I
O
= 20
µ
一个
0 0.5 0.5 0.5 4.5 I
O
= 20
µ
一个
0 0.5 0.5 0.5 6.0 I
O
= 20
µ
一个
V
OL
低 水平的 输出
电压
0.15 0.26 0.33 0.4 V 4.5 V
CC
或者
地
I
O
= 4.0 毫安
0.16 0.26 0.33 0.4 6.0 I
O
= 5.2 毫安
±
I
I
输入 泄漏 电流 0.1 1.0 1.0
µ
一个 6.0 V
CC
或者
地
I
CC
安静的 供应
电流 ssi
2.0 20.0 40.0
µ
一个 6.0 V
CC
或者
地
I
O
=0
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