6.42
5
idt71v016sa, 3.3v cmos 静态的 内存
1 meg (64k x 16-位) 商业的 和 工业的 温度 范围
71V016SA10
(2)
71V016SA12 71V016SA15 71V016SA20
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
REad 循环
t
RC
ReadCycle时间 10
____
12
____
15
____
20
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
10
____
12
____
15
____
20 ns
t
ACS
碎片 选择 进入 时间
____
10
____
12
____
15
____
20 ns
t
CL Z
(1)
ChipSelect low 至Output 在 low-z 4
____
4
____
5
____
5
____
ns
t
CHZ
(1)
碎片 选择 高 至 输出 在 高-z
____
5
____
6
____
6
____
8ns
t
OE
Outp ut enableLow 至Output valid
____
5
____
6
____
7
____
8ns
t
OLZ
(1)
Output enableLow 至Output 在 low-z 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
OHZ
(1)
Output enableHigh 至Output 在 high-z
____
5
____
6
____
6
____
8ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 4 — 4 — 4 — 4 — ns
t
是
用 teEnableLow 至Output valid — 5 — 6 — 7
____
8ns
t
BLZ
(1)
字节 enableLow 至Output 在 low-z 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
BHZ
(1)
字节 enableHigh 至Output 在 high-z
____
5
____
6
____
6
____
8ns
WRIte 循环
t
WC
写 循环 时间 10
____
12
____
15
____
20
____
ns
t
AW
地址 有效的 至 终止 的 写 7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
CW
碎片 选择 low 至 终止 的 写 7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
BW
字节 enableLo w 至 终止of 写 7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
作
地址 设置-向上 时间 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Address 支撑从 终止的写 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
DW
数据 valid至Endof写 5
____
6
____
7
____
9
____
ns
t
DH
数据 hold时间 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
OW
(1)
写 enable 高 至 输出 在 低-z 3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t
WHZ
(1)
写EnableLow 至Output 在 high-z
____
5
____
6
____
6
____
8ns
3834tbl 10
注释:
1.
我们
是 高 为 读 循环.
2. 设备 是 continuously 选择,
CS
是 低.
3.
OE
,
BHE
, 和
BLE
是 低.
(v
DD
= 最小值 至 最大值., 商业的 和 工业的 温度 范围)
数据
输出
地址
3834 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
数据
输出
有效的
PREVIOUS 数据
输出
有效的
注释:
1. 这个 参数 是 有保证的 和 这 交流 加载 (图示 2) 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
2. 0
°
c 至 +70
°
c 温度 范围 仅有的.
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