12月 1990 2
飞利浦 半导体 产品 规格
8-位 并行的-在/串行-输出 变换 寄存器 74hc/hct165
特性
•
异步的 8-位 并行的 加载
•
同步的 串行 输入
•
输出 能力: 标准
•
I
CC
类别: msi
一般 描述
这 74hc/hct165 是 高-速 si-门 cmos 设备
和 是 管脚 兼容 和 低 电源 肖特基 ttl
(lsttl). 它们 是 指定 在 遵从 和 电子元件工业联合会
标准 非. 7a.
这 74hc/hct165 是 8-位 并行的-加载 或者 串行-在 变换
寄存器 和 complementary 串行 输出 (q
7
和
Q
7
) 有 从 这 last 平台. 当 这 并行的 加载
(pl) 输入 是 低, 并行的 数据 从 这 d
0
至
D
7
输入 是 承载 在 这 寄存器 asynchronously.
当 PL 是 高, 数据 enters 这 寄存器 serially 在 这
D
s
输入 和 shifts 一个 放置 至 这 正确的
(q
0
→
Q
1
→
Q
2
, 等.) 和 各自 积极的-going 时钟
转变. 这个 特性 准许 并行的-至-串行 转换器
expansion 用 tying 这 q
7
输出 至 这 d
S
输入 的 这
succeeding 平台.
这 时钟 输入 是 一个 gated-或者 结构 这个 准许 一个
输入 至 是 使用 作 一个 起作用的 低 时钟 使能 (ce) 输入.
这 管脚 分派 为 这 cp 和 CE 输入 是 arbitrary
和 能 是 使反转 为 布局 convenience. 这
低-至-高 转变 的 输入 CE 应当 仅有的 引领
放置 当 cp 高 为 predictable 运作. 也 这
cp 或者 这 CE 应当 是 高 在之前 这
低-至-高 转变 的 PL 至 阻止 shifting 这 数据
当 PL 是 使活动.
产品
•
并行的-至-串行 数据 转换
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
= 25
°
c; t
r
= t
f
= 6 ns
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w):
P
D
= c
PD
×
V
CC
2
×
f
i
+∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz
f
o
= 输出 频率 在 mhz
∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 输出
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf
V
CC
= 供应 电压 在 v
2. 为 hc 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
为 hct 这 情况 是 v
I
= 地 至 v
CC
−
1.5 v
订货 信息
看
“74hc/hct/hcu/hcmos 逻辑 包装 information”
.
标识 参数 情况
典型
单位
HC HCT
t
PHL
/ t
PLH
传播 延迟
cp 至 q
7,
Q
7
PL 至 q
7,
Q
7
D
7
至 q
7,
Q
7
C
L
= 15 pf; v
CC
= 5 v
16
15
11
14
17
11
ns
ns
ns
f
最大值
最大 时钟 频率 56 48 MHz
C
I
输入 电容 3.5 3.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 每
包装
注释 1 和 2 35 35 pF