HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1245b
8/25/97
一代 v 技术
过激 低 在-阻抗
n-频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
动态 dv/dt 比率
快 切换
描述
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器 utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 这 最低 可能 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和 加固 设备 设计 那
hexfet 电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者 和 一个
极其 效率高的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized 引线框架 为 增强
热的 特性 和 多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的
电源 产品. 和 这些 改进, 多样的 设备 能 是 使用 在
一个 应用 和 dramatically 减少 板 空间. 这 包装 是 设计
为 vapor 阶段, infra red, 或者 波 焊接 技巧. 电源 消耗 的
更好 比 0.8w 是 可能 在 一个 典型 pcb 挂载 应用.
IRF7403
初步的
顶 视图
81
2
3
4
5
6
7
D
D
D
DG
S
一个
S
S
一个
所以-8
V
DSS
= 30v
R
ds(在)
= 0.022
Ω
参数 最大值 单位
I
D
@ t
一个
= 25°c 10 秒. 搏动 流 电流, v
GS
@ 10v 9.7
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 8.5
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 5.4
I
DM
搏动 流 电流
34
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 2.5 W
直线的 减额 因素 0.02 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±20 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大 比率
一个
热的 阻抗 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
––– 50
°c/w
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