参数 最大值 单位
V
DS
流- 源 电压 -30 V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -10v -11
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -10v -9.3 一个
I
DM
搏动 流 电流
-47
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗
2.5
P
D
@T
一个
= 70°c 电源 消耗
1.6
直线的 减额 因素 20 mw/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
3/29/01
www.irf.com 1
IRF7424
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
这些 p-频道 mosfets 从 国际的
整流器 utilize 先进的 处理 技巧 至
达到 这 极其 低 在-阻抗 每 硅
范围. 这个 益处 提供 这 设计者 和 一个
极其 效率高的 设备 为 使用 在 电池 和 加载
管理 产品..
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized
引线框架 为 增强 热的 特性 和
多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的
电源 产品. 和 这些 改进, 多样的
设备 能 是 使用 在 一个 应用 和 dramatically
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 为
vapor 阶段, infrared, 或者 波 焊接 技巧.
描述
过激 低 在-阻抗
p-频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
pd- 94024a
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
50 °c/w
热的 阻抗
绝对 最大 比率
W
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
DG
S
一个
D
S
S
V
DSS
R
ds(在)
最大值 (m
Ω)Ω)
Ω)Ω)
Ω)
I
D
-30v
13.5@v
GS
= -10v -11a
22@V
GS
= -4.5v -8.8a
所以-8
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