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资料编号:994225
 
资料名称:ISL6537CRZ-T
 
文件大小: 560K
   
说明
 
介绍:
ACPI Regulator/Controller for Dual Channel DDR Memory Systems
 
 


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fn9142.4
二月 8, 2005
函数的 管脚 描述
5vsby (管脚 1)
5vsby 是 这 偏差 供应 的 这 isl6537. 它 是 典型地
连接 至 这 5v 备用物品 栏杆 的 一个 atx 电源 供应.
在 s4/s5 睡眠 states 这 isl6537 enters 一个 减少
电源 模式 和 牵引 较少 比 1ma (i
cc_s5
) 从 这
5vsby 供应. 这 供应 至 5vsby 应当 是 locally
绕过 使用 一个 0.1
µ
f 电容.
p12v (管脚 3)
这 v
TT
规章制度 电路 和 这 直线的 驱动器 是
powered 用 p12v. p12v 是 不 必需的 在 s3/s4/s5
运作. p12v 是 典型地 连接 至 这 +12v 栏杆 的 一个
atx 电源 供应.
地 (管脚 4, 27, 29)
这 地 terminals 的 这 isl6537 提供 这 返回 path
为 这 v
TT
ldo, 和 切换 mosfet 门 驱动器. 高
地面 电流 是 安排 直接地 通过 这 exposed
paddle 的 这 qfn 包装 这个 必须 是 用电气
连接 至 这 地面 平面 通过 一个 path 作 低 在
电感 作 可能.
ugate (管脚 26)
连接 这个 管脚 至 这 upper 场效应晶体管’s 门. 这个 管脚
提供 这 pwm-控制 门 驱动 为 这 upper
场效应晶体管. 这个 管脚 是 也 监控 用 这 adaptive shoot-
通过 保护 电路系统 至 决定 当 这 upper
场效应晶体管 有 转变 止. 做 不 insert 任何 电路系统 在
这个 管脚 和 这 门 的 这 upper 场效应晶体管, 作 它 将
干涉 和 这 内部的 adaptive shoot-通过 保护
电路系统 和 render 它 ineffective.
lgate (管脚 28)
连接 这个 管脚 至 这 更小的 场效应晶体管’s 门. 这个 管脚
提供 这 pwm-控制 门 驱动 为 这 更小的
场效应晶体管. 这个 管脚 是 也 监控 用 这 adaptive shoot-
通过 保护 电路系统 至 决定 当 这 更小的
场效应晶体管 有 转变 止. 做 不 insert 任何 电路系统 在
这个 管脚 和 这 门 的 这 更小的 场效应晶体管, 作 它 将
干涉 和 这 内部的 adaptive shoot-通过 保护
电路系统 和 render 它 ineffective.
fb (管脚 15) 和 竞赛 (管脚 16)
这 v
DDQ
切换 调整器 雇用 一个 单独的 电压
控制 循环. fb 是 这 负的 输入 至 这 电压 循环 错误
放大器. 这 v
DDQ
输出 电压 是 设置 用 一个 外部
电阻 分隔物 连接 至 fb. 和 一个 合适的 选择
分隔物, v
DDQ
能 是 设置 至 任何 电压 在 这 电源
栏杆 (减少 用 转换器 losses) 和 这 0.8v 涉及.
循环 补偿 是 达到 用 连接 一个 交流
网络 横过 竞赛 和 fb.
这 fb 管脚 是 也 监控 为 下面 和 在-电压
events.
阶段
(管脚 24)
连接 这个 管脚 至 这 upper 场效应晶体管’s 源. 这个 管脚 是
使用 至 监控 这 电压 漏出 横过 这 upper 场效应晶体管
为 在-电流 保护.
OCSET
(管脚 22)
连接 一个 电阻 (r
OCSET
) 从 这个 管脚 至这 流 的 这
upper 场效应晶体管. r
OCSET
, 一个 内部的 20
µ
一个 电流 源
(i
OCSET
), 和 这 upper 场效应晶体管 在-阻抗 (r
ds(在)
)
设置 这 转换器 在-电流 (oc) trip 要点 符合 至
这 下列的 等式:
一个 在-电流 trip 循环这 软-开始 函数.
vddq (管脚 7, 8)
这 vddq 管脚 应当 是 连接 externally 一起 至
这 管制 v
DDQ
输出. 在 s0/s1 states, 这 vddq
管脚 提供 作 输入 至 这 v
TT
调整器 和 至 这 v
TT
涉及 精确 分隔物.
ddr_vtt (管脚 5, 6)
这 ddr_vtt 管脚 应当 是 连接 externally 一起.
在 s0/s1 states, 这 ddr_vtt 管脚 提供 作 这
输出 的 这 v
TT
直线的 调整器. 在 s3 状态, 这 v
TT
调整器 是 无能.
ddr_vttsns (管脚 9)
vttsns 是 使用 作 这 反馈 为 控制 的 这 v
TT
直线的
调整器. 连接 这个 管脚 至 这 v
TT
输出 在 这 物理的
要点 的 desired 规章制度.
vref_输出 (管脚 13)
vref_输出 是 一个 缓冲 版本 的 v
TT
和 也 acts 作 这
涉及 电压 为 这 v
TT
直线的 调整器. 它 是
推荐 那 一个 最小 电容 的 0.1
µ
f 是
连接 在 v
DDQ
和 vref_输出 和 也
在 vref_输出 和 地面 为 恰当的 运作.
vref_在 (管脚 14)
一个 电容, c
SS
, 连接 在 vref_在 和 地面
是 必需的. 这个 电容 和 这 并行的 结合体 的
这 upper 和 更小的 分隔物 阻抗 (r
U
||R
L
), sets 这
时间 常量 为 这 开始 向上 ramp 当 transitioning 从
s3/s4/s5 至 s0/s1/s2.
这 最小 值 为 c
SS
能 是 建立 通过 这
下列的 等式:
这 计算 电容, c
SS
, 将 承担 这 输出
电容 bank 在 这 v
TT
栏杆 在 一个 控制 manner 没有
reaching 这 电流限制 的 这 v
TT
ldo.
I
顶峰
I
OCSET
xR
OCSET
r
DS
()
-------------------------------------------------=
C
SS
C
VTTOUT
V
DDQ
10 2一个 R
U
R
L
||
⋅⋅
------------------------------------------------
>
ISL6537
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