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资料编号:994413
 
资料名称:IRF7494
 
文件大小: 567K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7494
8 www.irf.com
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
开始 t
J
= 25°c, l = 77mh
R
G
= 25
, i
= 3.1a.
当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜
板, t
10 秒.

330.00
(12.992)
最大值
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
注释 :
1. controlling 维度 : millimeter.
2. 外形 遵从 至 eia-481 &放大; eia-541.
喂养 方向
终端 号码 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
注释:
1. controlling 维度 : millimeter.
2. 所有 维度 是 显示 在 毫米(英寸).
3. 外形 遵从 至 eia-481 &放大; eia-541.
所以-8 录音带 和 卷轴
脉冲波 宽度
400µs; 职责 循环
2%.
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
.
I
SD
3.1a, di/dt
270a/µs, v
DD
V
(br)dss
, t
J
175°c.
ir world 总部:
233 kansas st., el segundo, 加利福尼亚 90245, usa 电话: (310) 252-7105
tac 传真: (310) 252-7903
visit 美国 在 www.irf.com 为 销售 联系 信息
.
01/03
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意.
这个 产品 有 被 设计 和 qualified 为 这Industrial market.
资格 standards 能 是 建立 在 ir’s 网 站点.
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