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资料编号:994477
 
资料名称:IRFU120A
 
文件大小: 256K
   
说明
 
介绍:
Advanced Power MOSFET
 
 


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n-频道
电源 场效应晶体管
(t
C
电的 特性
(t
C
=25 除非 否则 指定)
流-源 损坏 电压
损坏 电压 温度 coeff.
门 门槛 电压
门-源 泄漏 , 向前
门-源 泄漏 , 反转
典型的标识
最大值 单位典型值最小值 测试 情况
静态的 流-源
在-状态 阻抗
向前 跨导
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
总的 门 承担
门-源 承担
门-流(Miller) 承担
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
BV
DSS
bv/ T
J
V
gs(th)
R
ds(在)
I
GSS
I
DSS
V
v/
V
nA
一个
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0v,i
D
=250 一个
I
D
=250 一个
看 图 7
V
DS
=5v,i
D
=250 一个
V
GS
=20V
V
GS
=-20v
V
DS
=100V
V
DS
=80v,t
C
=125
V
GS
=10v,i
D
=4.2a
V
DS
=40v,i
D
=4.2a
V
DD
=50v,i
D
=9.2a,
R
G
=18
看 图 13
V
DS
=80v,v
GS
=10v,
I
D
=9.2a
看 图 6 &放大; 图 12
流-至-源 泄漏 电流
V
GS
=0v,v
DS
=25v,f =1mhz
看 图 5
源-流 二极管 比率 和 特性
持续的 源 电流
搏动-源 电流
二极管 向前 电压
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
典型的标识 最大值 单位典型值最小值 测试 情况
--
--
--
--
--
一个
V
ns
C
integral 反转 pn-二极管
在 这 场效应晶体管
T
J
=25 ,i
S
=8.4a,v
GS
=0V
T
J
=25 ,i
F
=9.2a
di
F
/dt=100a/ s
Ο
C
µ
O
4
O
5
Ο
C
µ
µ
Ο
C
O
4
O
4
O
4
O
4
O
1
Ο
C
µ
µ
Ο
C
µ
O
5
O
4
irfr/u120a
100
--
2.0
--
--
--
--
--
0.12
--
--
--
--
--
95
38
14
14
36
28
16
2.7
7.8
--
--
4.0
100
-100
10
100
0.2
--
480
110
45
40
40
90
70
22
--
--
6.29
370
--
--
--
98
0.34
8.4
34
1.5
--
--
注释 ;
repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度
l=3mh, i
=8.4a, v
DD
=25v, r
G
=27 , 开始 t
J
=25
I
SD
9.2
一个, di/dt
3
00a/ s, v
DD
BV
DSS
, 开始 t
J
=25
脉冲波 测试 : 脉冲波 宽度 = 250 s, 职责 循环 2%
essentially 独立 的 运行 温度
<
_
<
_
<
_
<
_
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
o
C
o
C
µ
µ
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