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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 25
––– –––
SV
DS
= 50v, i
D
= 29a
Q
g
总的 门 承担
–––
59 89 I
D
= 29a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
21 32 nC V
DS
= 50v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
17 26 V
GS
= 10v,
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
19
–––
V
DD
= 50v
t
r
上升 时间
–––
68
–––
I
D
= 29a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
44
–––
R
G
= 6.8
Ω
t
f
下降 时间
–––
37
–––
V
GS
= 10v
C
iss
输入 电容
–––
3430
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
270
–––
V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
150
–––
pF
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
输出 电容
–––
1040
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
输出 电容
–––
170
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 80v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容
–––
270
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 80v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
参数 典型值 最大值 单位
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
–––
160 mJ
I
AR
avalanche 电流
–––
29 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
–––
14 mJ
avalanche 特性
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 100
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.10
–––
v/
°
c 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
––– –––
0.025
Ω
V
GS
= 10v, i
D
= 29a
V
gs(th)
门 门槛 电压 3.5
–––
5.5 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– –––
1.0
µA
V
DS
= 95v, v
GS
= 0v
––– –––
250 V
DS
= 80v, v
GS
= 0v, t
J
= 150
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-100
nA
V
GS
= -20v
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. (看 图. 11)
I
SD
≤
29a, di/dt
≤
420a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
150
°
C
开始 t
J
= 25
°
c, l = 0.38mh, r
G
= 25
Ω
,
I
作
= 29a, (看 图示 12a)
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
计算 持续的 电流 为基础 在 最大 容许的
接合面 温度. 包装 限制 电流 是 30a.
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
1.05
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)*
–––
50
°
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
110
热的 阻抗
当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料) .
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994
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