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整体的 硅 解决方案, 公司 — 1-800-379-4774
rev. E
11/26/03
IS62C1024L
ISSI
®
读 循环 切换 特性
(1)
(在 运行 范围)
-35 -70
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
RC
读 循环 时间 35 — 70 — ns
t
AA
地址 进入 时间 — 35 — 70 ns
t
OHA
输出 支撑 时间 3 — 3 — ns
t
ACE
1
CE1
进入 时间 — 35 — 70 ns
t
ACE
2
ce2 进入 时间 — 35 — 70 ns
t
DOE
OE
进入 时间 — 10 — 35 ns
t
LZOE
(2)
OE
至 低-z 输出 0 — 0 — ns
t
HZOE
(2)
OE
至 高-z 输出 0 10 0 25 ns
t
LZCE
1
(2)
CE1
至 低-z 输出 3 — 10 — ns
t
LZCE
2
(2)
ce2 至 低-z 输出 3 — 10 — ns
t
HZCE
(2)
CE1
或者 ce2 至 高-z 输出 0 10 0 25 ns
注释:
1. 测试 情况 假设 信号 转变 时间 的 5 ns 或者 较少, 定时 涉及 水平 的 1.5v, 输入 脉冲波 水平 的 0 至 3.0v 和
输出 加载 指定 在 图示 1a.
2. 测试 和 这 加载 在 图示 1b. 转变 是 量过的 ±500 mv 从 稳步的-状态 电压. 不 100% 测试.
电源 供应 特性
(1)
(在 运行 范围)
-35 ns -70 ns
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
I
CC
V
DD
动态 运行 V
DD
= 最大值.,
CE
= v
IL
com. — 100 — 70 毫安
供应 电流 I
输出
= 0 毫安, f = f
最大值
ind. — 110 — 80
I
SB
1
ttl 备用物品 电流 V
DD
= 最大值., com. — 10 — 10 毫安
(ttl 输入) V
在
= v
IH
或者 v
IL
,
CE1
≥
V
IH
, ind. — 15 — 15
或者 ce2
≤
V
IL
, f = 0
I
SB
2
cmos 备用物品 V
DD
= 最大值., com. — 500 — 500 µA
电流 (cmos 输入)
CE1
≤
V
DD
– 0.2v, ind. — 750 — 750
CE2
≤
0.2v, v
在
≥
V
DD
– 0.2v,
或者 v
在
≤
0.2v, f = 0
便条:
1. 在 f = f
最大值
, 地址 和 数据 输入 是 cycling 在 这 最大 频率, f = 0 意思 非 输入 线条 改变.