IS62LV256
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8
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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rev. K
12/11/02
写 循环 非. 2 (
CECE
CECE
CE
控制)
(1,2)
高-z
数据 未阐明的
数据-在 有效的
t
WC
t
SCE
t
SA
t
HA
t
PWE
t
AW
t
HZWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
地址
D
在
CE
我们
D
输出
注释:
1. 这 内部的 写 时间 是 定义 用 这 overlap 的
CE
低 和
我们
低. 所有 信号 必须 是 在 有效的 states 至 initiate 一个 写, 但是
任何 一个 能 go inactive 至 terminate 这 写. 这 数据 输入 建制 和 支撑 定时 是 关联 至 这 rising 或者 下落 edge 的
这 信号 那 terminates 这 写.
2. i/o 将 假设 这 高-z 状态 如果
OE
• v
IH
.
交流 波形
写 循环 非. 1 (
WEWE
WEWE
我们
控制)
(1,2)
数据-在 有效的
数据 未阐明的
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
PWE
t
HZWE
高-z
t
LZWE
t
SA
t
SD
t
HD
地址
CE
我们
D
输出
D
在