IS62LV256
ISSI
®
4
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
rev. K
12/11/02
电容
(1,2)
标识 参数 情况 最大值 单位
C
在
输入 电容 V
在
= 0v 6 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
= 0v 5 pF
注释:
1. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
2. 测试 情况: t
一个
= 25°c, f = 1 mhz, vcc =3.3v.
电源 供应 特性
(1)
(在 运行 范围)
-45 ns -70 ns
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
I
CC
1
vcc 运行 V
CC
= 最大值.,
CE
= v
IL
com. — 20 — 20 毫安
供应 电流 I
输出
= 0 毫安, f = 0 ind. — 30 — 30
I
CC
2
vcc 动态 运行 V
CC
= 最大值.,
CE
= v
IL
com. — 35 — 30 毫安
供应 电流 I
输出
= 0 毫安, f = f
最大值
ind. — 45 — 40
I
SB
1
ttl 备用物品 电流 V
CC
= 最大值., com. — 2 — 2 毫安
(ttl 输入) V
在
= v
IH
或者 v
IL
ind. — 5 — 5
CE
≥
V
IH
, f = 0
I
SB
2
cmos 备用物品 V
CC
= 最大值., com. — 90 — 90 µA
电流 (cmos 输入)
CE
≥
V
CC
– 0.2v, ind. — 200 — 200
V
在
≥
V
CC
– 0.2v, 或者
V
在
≤
0.2v, f = 0
注释:
1. 在 f = f
最大值
, 地址 和 数据 输入 是 cycling 在 这 最大 频率, f = 0 意思 非 输入 线条 改变.
: 点此下载
