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函数的 管脚 描述
ugate (管脚 1 为 soic-8, 管脚 8 为 qfn)
这 ugate 管脚 是 这 upper 门 驱动 输出. 连接 至
这 门 的 高-一侧 电源 n-频道 场效应晶体管.
激励 (管脚 2 为 soic-8, 管脚 1 为 qfn)
激励 是 这 floating 自举 供应 管脚 为 这 upper 门
驱动. 连接 这 自举 电容 在 这个 管脚 和
这 阶段 管脚. 这 自举 电容 提供 这 承担
至 转变 在 这 upper 场效应晶体管. 看 这 自举 二极管 和
电容 部分 下面 描述 为 guidance 在
choosing 这 适合的 电容 值.
pwm (管脚 3 为 soic-8, 管脚 2 为 qfn)
这 pwm 信号 是 这 控制 输入 为 这 驱动器. 这 pwm
信号 能 enter 三 distinct states 在 运作 (看
这 三-状态 pwm 输入 部分 下面 描述 为
更远 详细信息). 连接 这个 管脚 至 这 pwm 输出 的 这
控制.
地 (管脚 4 为 soic-8, 管脚 3 为 qfn)
地 是 这 地面 管脚 为 这 ic.
lgate (管脚 5 为 soic-8, 管脚 4 为 qfn)
lgate 是 这 更小的 门 驱动 output. 连接 至 门 的 这
低-一侧 电源 n-频道 场效应晶体管.
vcc (管脚 6 为 soic-8, 管脚 5 为 qfn)
连接 这 vcc 管脚 至 一个 +5v 偏差 供应. 放置 一个 高
质量 绕过 电容 从 这个 管脚 至 地.
fccm (管脚 7 为 soic-8, 管脚 6 为 qfn)
这 fccm 管脚 使能 或者 使不能运转 二极管 emulation. 当
fccm 是 低, 二极管 emulation 是 允许. 否则,
持续的 传导 模式是 强迫. 看 这 二极管
emulation 部分 下面 描述 为 更多 detail.
阶段 (管脚 8 为 soic-8, 管脚 7 为 qfn)
连接 这 阶段 管脚 至 这 源 的 这 upper 场效应晶体管
和 这 流 的 这 更小的 场效应晶体管. 这个 管脚 提供 一个
返回 path 为 这 upper 门 驱动器.
描述
theory 的 运作
设计 为 速, 这 isl6208 双 场效应晶体管 驱动器
控制 两个都 高-一侧 和 低-一侧 n-频道 fets 从
一个 externally 提供 pwm 信号.
一个 rising 边缘 在 pwm initiates 这 转变-止 的 这 更小的
场效应晶体管 (看 定时 图解). 之后 一个 短的 传播
延迟 [t
PDLL
], 这 更小的 门 begins 至下降. 典型 下降 时间
[t
FL
] 是 提供 在 这 electrical 规格 部分.
adaptive shoot-通过 circuitry monitors 这 lgate
电压. 当 lgate 有 fallen 在下 1v, ugate 是
允许 至 转变 在. 这个 阻止 两个都 这 更小的 和 upper
mosfets 从 组织 同时发生地, 或者 shoot-
通过.
一个 下落 转变 在 pwm indicates 这 转变-止 的 这 upper
场效应晶体管 和 这 转变-在 的 这 更小的 场效应晶体管. 一个 短的
传播 延迟 [t
PDLU
] 是 encountered 在之前 这 upper
门 begins 至 下降 [t
FU
]. 这 upper 场效应晶体管 门-至-源
电压 是 监控, 和 这 更小的 门 是 允许 至 上升
之后 这 upper 场效应晶体管 门-至-源 电压 drops 在下
1v. 这 更小的 门 然后 rises [t
RL
], turning 在 这 更小的
场效应晶体管.
VCC
PWM
10K
控制
逻辑
shoot-
通过
保护
激励
UGATE
阶段
LGATE
地
VCC
FCCM
热的 垫子 (为 qfn 包装 仅有的)
图示 1. 块 图解
ISL6208
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