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资料编号:995009
 
资料名称:IXFN60N60
 
文件大小: 71K
   
说明
 
介绍:
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
 
 


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  浏览型号IXFN60N60的Datasheet PDF文件第1页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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© 2000 ixys 所有 权利 保留
IXFN 60N60
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
V
DS
= 15 v; i
D
= 0.5 • i
D25
, 脉冲波 测试 40 60 S
C
iss
15000 pF
C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 1600 pF
360 pF
t
d(在)
43 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 • i
D25
52 ns
t
d(止)
R
G
= 1

(外部), 110 ns
t
f
26 ns
Q
g(在)
380 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 • i
D25
78 nC
Q
gd
190 nC
R
thJC
0.18 k/w
R
thCK
0.05 k/w
源-流 二极管 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
I
S
V
GS
= 0 v 60 一个
I
SM
repetitive; 240 一个
脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
V
SD
I
F
= i
S
, v
GS
= 0 v, 1.3 V
脉冲波 测试, t

300
s, 职责 循环 d

2 %
t
rr
I
F
= 25a, -di/dt = 100 一个/
s, v
R
= 100 v 250 ns
Q
RM
1.5
C
I
RM
10 一个
m4 screws (4x) 有提供的
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 31.50 31.88 1.240 1.255
B 7.80 8.20 0.307 0.323
C 4.09 4.29 0.161 0.169
D 4.09 4.29 0.161 0.169
E 4.09 4.29 0.161 0.169
F 14.91 15.11 0.587 0.595
G 30.12 30.30 1.186 1.193
H 38.00 38.23 1.496 1.505
J 11.68 12.22 0.460 0.481
K 8.92 9.60 0.351 0.378
L 0.76 0.84 0.030 0.033
M 12.60 12.85 0.496 0.506
N 25.15 25.42 0.990 1.001
O 1.98 2.13 0.078 0.084
P 4.95 5.97 0.195 0.235
Q 26.54 26.90 1.045 1.059
R 3.94 4.42 0.155 0.174
S 4.72 4.85 0.186 0.191
T 24.59 25.07 0.968 0.987
U -0.05 0.1 -0.002 0.004
minibloc, sot-227 b
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
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