ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728b1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
图示 7. 门 承担
图示 8. 电容 曲线
图示 9. 向前 电压 漏出 的 这
intrinsic 二极管
图示 10. 瞬时 热的 阻抗
IXFK50N50 IXFK55N50
IXFN50N50 IXFN55N50
门 承担 - nc
0 50 100 150 200 250 300 350
V
GS
- 伏特
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250v
I
D
= 27.5a
V
DS
- 伏特
0 5 10 15 20 25 30 35 40
电容 - pf
100
1000
10000
Crss
Coss
Ciss
f = 1mhz
V
SD
- 伏特
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
I
D
- amperes
0
20
40
60
80
100
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
脉冲波 宽度 - 秒
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
r(th)
JC
- k/w
0.00
0.01
0.10
1.00
: 点此下载
