©2003 仙童 半导体 公司 isl9r860pf2 rev. 一个
ISL9R860PF2
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
止 状态 特性
在 状态 特性
动态 特性
切换 特性
热的 特性
设备 标记 设备 包装 录音带 宽度 Quantity
R860PF2 ISL9R860PF2 至-220f n/一个 50 单位
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
R
instantaneous 反转 电流 V
R
= 600v T
C
= 25
°
C - - 100
µ
一个
T
C
= 125
°
c--1.0ma
V
F
instantaneous 向前 电压 I
F
= 8a T
C
= 25
°
c-2.02.4v
T
C
= 125
°
c-1.62.0v
C
J
接合面 电容 V
R
= 10v, i
F
= 0a - 30 - pF
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 1a, di
F
/dt = 100a/
µ
s, v
R
= 30v - 18 25 ns
I
F
= 8a, di
F
/dt = 100a/
µ
s, v
R
= 30v - 21 30 ns
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 8a,
dI
F
/dt = 200a/
µ
s,
V
R
= 390v, t
C
= 25
°
C
-28-ns
I
RRM
最大 反转 恢复 电流 - 3.2 - 一个
Q
RR
反转 恢复 承担 - 50 - nC
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 8a,
dI
F
/dt = 200a/
µ
s,
V
R
= 390v,
T
C
= 125
°
C
-77-ns
S softness 因素 (t
b
/t
一个
)-3.7-
I
RRM
最大 反转 恢复 电流 - 3.4 - 一个
Q
RR
反转 恢复 承担 - 150 - nC
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 8a,
dI
F
/dt = 600a/
µ
s,
V
R
= 390v,
T
C
= 125
°
C
-53-ns
S softness 因素 (t
b
/t
一个
)-2.5-
I
RRM
最大 反转 恢复 电流 - 6.5 - 一个
Q
RR
反转 恢复 承担 195 - nC
dI
M
/dt 最大 di/dt 在 t
b
- 500 - 一个/µs
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 - - 4.8
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-220f - - 70
°
c/w
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