2 - 4
© 2000 ixys 所有 权利 保留
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
V
DS
= 10 v; i
D
= 0.5 i
D25
, 脉冲波 测试 18 28 S
C
iss
5200 5700 pF
C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 640 750 pF
C
rss
240 310 pF
t
d(在)
35 45 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 v
DSS
, i
D
= 0.5 i
D25
42 50 ns
t
d(止)
R
G
= 2
(外部) 110 140 ns
t
f
26 35 ns
Q
g(在)
227 300 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 v
DSS
, i
D
= 0.5 i
D25
29 40 nC
Q
gd
110 145 nC
R
thJC
0.35 k/w
R
thCK
(至-247 情况 样式) 0.25 k/w
源-流 二极管 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值最大值
I
S
V
GS
= 0 v 30N50 30 一个
32N50 32 一个
I
SM
repetitive; 30N50 120 一个
脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
32N50 128 一个
V
SD
I
F
= i
S
, v
GS
= 0 v, 1.5 V
脉冲波 测试, t
300
s, 职责 循环 d
2 %
t
rr
T
J
= 25
C 250 ns
T
J
= 125
C 400 ns
Q
RM
T
J
= 25
C 0.85
C
T
J
= 25
C
I
RM
8A
I
F
= i
S
-di/dt = 100 一个/
s,
V
R
= 100 v
ixfh 30n50 ixfh 32n50
ixft 30n50 ixft 32n50
至-247 ad (ixfh) 外形
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 19.81 20.32 0.780 0.800
B 20.80 21.46 0.819 0.845
C 15.75 16.26 0.610 0.640
D 3.55 3.65 0.140 0.144
E 4.32 5.49 0.170 0.216
F 5.4 6.2 0.212 0.244
G 1.65 2.13 0.065 0.084
H - 4.5 - 0.177
J 1.0 1.4 0.040 0.055
K 10.8 11.0 0.426 0.433
L 4.7 5.3 0.185 0.209
M 0.4 0.8 0.016 0.031
N 1.5 2.49 0.087 0.102
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.9 5.1 .193 .201
一个
1
2.7 2.9 .106 .114
一个
2
.02 .25 .001 .010
b 1.15 1.45 .045 .057
b
2
1.9 2.1 .75 .83
C .4 .65 .016 .026
D 13.80 14.00 .543 .551
E 15.85 16.05 .624 .632
E
1
13.3 13.6 .524 .535
e 5.45 bsc .215 bsc
H 18.70 19.10 .736 .752
L 2.40 2.70 .094 .106
L1 1.20 1.40 .047 .055
L2 1.00 1.15 .039 .045
L3 0.25 bsc .010 bsc
L4 3.80 4.10 .150 .161
至-268aa (d
3
pak)
最小值 推荐 footprint
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
: 点此下载
