产品 summary
部分 号码 BV
DSS
R
ds(在)
I
D
JANTX2N6768
JANTXV2N6768
特性:
■
avalanche 活力 比率
■
动态 dv/dt 比率
■
简单的 驱动 (所需的)东西
■
使容易 的 paralleling
■
hermetically sealed
n-频道
provisional 数据 薄板 非. pd-9.339e
400 volt, 0.300
ΩΩ
ΩΩ
Ω
HEXFET
hexfet 技术 是 这 关键 至 国际的
整流器’s 先进的 线条 的 电源 场效应晶体管 transis-
tors. 这 效率高的 geometry achieves 非常 低 在-
状态 阻抗 联合的 和 高 跨导.
hexfet 晶体管 也 特性 所有 的 这 好-es-
tablish 有利因素 的 mosfets, 此类 作 电压
控制, 非常 快 切换, 使容易 的 paralleling 和
电的 参数 温度 稳固. 它们 是
好-suited 为 产品 此类 作 切换 电源
供应, 发动机 控制, 反相器, choppers, 音频的
放大器, 和 高 活力 脉冲波 电路, 和 virtu-
ally 任何 应用 在哪里 高 可靠性 是 必需的.
JANTX2N6768
JANTXV2N6768
[ref:mil-prf-19500/543]
[generic:irf350]
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
绝对 最大 比率
参数
jantx2n6768, jantxv2n6768
单位
I
D
@ v
GS
= 10v, t
C
= 25°c 持续的 流 电流 14
I
D
@ v
GS
= 10v, t
C
= 100°c 持续的 流 电流 9.0
I
DM
搏动 流 电流
➀
56
P
D
@ t
C
= 25°c 最大值 电源 消耗 150 W
直线的 减额 因素 1.2 w/k
➄
V
GS
门-至-源 电压 ±20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
➁
11.3 mJ
I
AR
avalanche 电流
➀
14 一个
E
AR
repetitive avalanche活力
➀
15 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
➂
4.0
v/ns
T
J
运行 接合面 -55 至 150
T
STG
存储 temperature 范围
含铅的 temperature 300
(0.063 在. (1.6mm) 从
情况 为 10.5 秒)
重量 11.5 (典型) g
o
C
一个
14A
0.300
Ω
400V
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