热的 阻抗
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
R
thJC
接合面-至-情况 — — 5.0
R
thJA
接合面-至-包围的 — — 175 k/w 典型 插座 挂载
源-流 二极管 比率 和 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
I
S
持续的 源 电流 (身体 二极管) — — 5.5
修改 场效应晶体管 标识 表明 这
I
SM
脉冲波 源 电流 (身体 二极管)
➀
—— 22
integral 反转 p-n 接合面 整流器.
V
SD
二极管 向前 电压 — — 1.4 V T
j
= 25°c, i
S
= 5.5a, v
GS
= 0v
➃
t
rr
反转 恢复 时间 — — 500 ns T
j
= 25°c, i
F
= 5.5a, di/dt
≤
100a/
µ
s
Q
RR
反转 恢复 承担 — — 6.0
µ
CV
DD
≤
50V
➃
t
在
向前 转变-在 时间
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible. 转变-在 速 是 substantially 控制 用 l
S
+ l
D
.
电的 特性
@ tj = 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
BV
DSS
流-至-源 损坏 电压 200 — — V V
GS
= 0v, i
D
= 1.0 毫安
∆
BV
DSS
/
∆
T
J
温度 系数 的 损坏 — 0.25 — v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1.0 毫安
电压
R
ds(在)
静态的 流-至-源 — — 0.40 V
GS
= 10v, i
D
= 3.5a
在-状态 阻抗 — — 0.46
Ω
V
GS
= 10v, i
D
= 5.5a
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 — 4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
g
fs
向前 跨导 2.5 — — S (
)v
DS
> 15v, i
DS
= 3.5a
➃
I
DSS
零 门 电压 流 电流 — — 25 V
DS
= 0.8 x 最大值 比率,v
GS
= 0v
— — 250 V
DS
= 0.8 x 最大值 比率
V
GS
= 0v, t
J
= 125°c
I
GSS
门-至-源 泄漏 向前 — — 100 V
GS
= 20v
I
GSS
门-至-源 泄漏 反转 — — -100 V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 7.4 — 42.1 V
GS
= 10v, i
D
= 5.5a
Q
gs
门-至-源 承担 2.5 — 5.3 V
DS
= 最大值 比率 x 0.5
Q
gd
门-至-流 (“miller”) 承担 6.0 — 28 看 计算数量 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 — — 30 V
DD
= 100v, i
D
= 5.5a,
t
r
上升 时间 — — 50 R
G
= 7.5
Ω
,
vgs = 10V
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 — — 50
t
f
下降 时间 — — 40 看 图示 10
L
D
内部的 流 电感 — 5.0 —
L
S
内部的 源 电感 — 15 —
C
iss
输入 电容 — 600 — V
GS
= 0v, v
DS
= 25v
C
oss
输出 电容 — 250 — f = 1.0 mhz
C
rss
反转 转移 电容 — 80 — 看 图示 5
jantx2n6798, jantxv2n6798 设备
Ω
➃
µ
一个
nC
pF
nH
ns
量过的 从 这
流 含铅的, 6mm (0.25
在.) 从 包装 至
中心 的 消逝.
量过的 从 这
源 含铅的, 6mm
(0.25 在.) 从 包装
至 源 使牢固结合 垫子.
修改 场效应晶体管
标识 表明 这
内部的 inductances.
nA
一个
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