k4s56163pf - r(b)g/f
九月 2004
1
mobile-sdram
• 1.8v 电源 供应.
• lvcmos 兼容 和 多路复用 地址.
• 四 banks 运作.
• mrs 循环 和 地址 关键 programs.
-. cas latency (1, 2 &放大; 3).
-. burst 长度 (1, 2, 4, 8 & 全部 page).
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave).
• emrs 循环 和 地址 关键 programs.
• 所有 输入 是 抽样 在 这 积极的 going 边缘 的 这 系统
时钟.
• burst 读 单独的-位 写 运作.
• 特定的 函数 支持.
-. pasr (partial 排列 自 refresh).
-. 内部的 tcsr (温度 补偿 自 refresh)
-. ds (驱动器 力量)
• dqm 为 masking.
• 自动 refresh.
• 64ms refresh 时期 (8k 循环).
• 商业的 温度 运作 (-25
°
c ~ 70
°
c).
• 扩展 温度 运作 (-25
°
c ~ 85
°
c).
• 54balls fbga ( -rxxx -铅, -bxxx -铅 free).
特性
这 k4s56163pf 是 268,435,456 位 同步的 高 数据
比率 动态 内存 有组织的 作 4 x 4,196,304 words 用 16 位,
fabricated 和 samsung’s 高 效能 cmos technol-
ogy. 同步的 设计 准许 准确的 循环 控制 和 这
使用 的 系统 时钟 和 i/o transactions 是 possible 在 每
时钟 循环. 范围 的 运行 发生率, 可编程序的
burst 长度 和 可编程序的 latencies 准许 这 一样
设备 至 是 有用的 为 一个 多样性 的 高 带宽 和 高 每-
formance 记忆 system 产品.
一般 描述
订货 信息
- r(b)g : 低 电源, 扩展 温度(-25
°
c ~ 85
°
c)
- r(b)f : 低 电源, 商业的 温度(-25
°
c ~ 70
°
c)
注释 :
1. 在 情况 的 40mhz 频率, cl1 能 是 supported.
2. samsung 是 不 设计 或者 制造的为 使用 在 一个 设备 或者 系统 那 是 美国ed 下面 circumstance 在 这个 人 生命 is 可能地 在 stake.
请 联系 至 这 记忆 营销 team 在 samsung electronics 当 considering 这 使用 的 一个 产品 包含 在此处为 任何 明确的
目的, 此类 作 medical, 太空, nuclear, military, vehicular 或者 undersea repeater use.
部分 非. 最大值 freq. 接口 包装
k4s56163pf-r(b)g/f75 133mhz(cl3), 83mhz(cl2)
LVCMOS
54 fbga 铅
(铅 自由)
k4s56163pf-r(b)g/f90 111mhz(cl3), 83mhz(cl2)
k4s56163pf-r(b)g/f1l
111MHz(CL3)
*1
, 66mhz(cl2)
4m x 16bit x 4 banks mobile sdram 在 54fbga
地址 配置
Organization Bank 行 column 地址
16m x 16 ba0, ba1 a0 - a12 a0 - a8
: 点此下载
