k6r4008v1b-c/b-l, k6r4008v1b-i/b-p
cmos sram
初步的
rev 2.2
- 2 -
将 1999
512k x 8 位 高-速 cmos 静态的 内存(3.3v 运行)
一般 描述特性
•快 进入 时间 10,12,15ns(最大值.)
•低 电源 消耗
备用物品 (ttl) : 50ma(最大值.)
(cmos) : 10ma(最大值.)
1.2ma(最大值.)- l-ver.
运行 k6r4008v1b-10 : 205ma(最大值.)
k6r4008v1b-12 : 200ma(最大值.)
k6r4008v1b-15 : 195ma(最大值.)
•单独的 3.3
±
0.3v 电源 供应
•ttl 兼容 输入 和 输出
•全部地 静态的 运作
- 非 时钟 或者 refresh 必需的
•三 状态 输出
•2v 最小 数据 保持 ; l-ver. 仅有的
•中心 电源/地面 管脚 配置
•标准 管脚 配置
k6r4008v1b-j : 36-soj-400
k6r4008v1b-t: 36-tsop2-400f
k6r4008v1b-u: 44-tsop2-400af
clk gen.
i/o1~i/o8
CS
我们
OE
函数的 块 图解
行 选择
数据
内容.
column 选择
CLK
gen.
前-承担 电路
记忆 排列
512 rows
1024x8 columns
i/o 电路
管脚 函数
管脚 名字 管脚 函数
一个0- 一个18 地址 输入
我们 写 使能
CS 碎片 选择
OE 输出 使能
i/o1~ i/o8 数据 输入/输出
VCC 电源(+3.3v)
VSS 地面
n.c 非 连接
这 k6r4008v1b 是 一个 4,194,304-位 高-速 静态的 随机的
进入 记忆 有组织的 作 524,288 words 用 8 位. 这
k6r4008v1b 使用 8 一般 输入 和 输出 线条 和 有
一个 输出 使能 管脚 这个 运作 faster 比 地址
进入 时间 在 读 循环. 这 设备 是 fabricated 使用 sam-
SUNG
′
s 先进的 cmos 处理 和 设计 为 高-
速 电路 技术. 它 是 特别 好 suited 为 使用 在
高-密度 高-速 系统 产品. 这
k6r4008v1b 是 packaged 在 一个 400 mil 36-管脚 塑料 soj 或者
tsop(ii) 向前 或者 44-管脚 塑料 tsop(ii) 向前.
一个10一个12一个14一个16一个18
k6r4008v1b-c10/c12/c15 商业的 温度
k6r4008v1b-i10/i12/i15 工业的 温度
订货 信息
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