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资料编号:998079
 
资料名称:KM416C254D
 
文件大小: 840K
   
说明
 
介绍:
256K x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
 
 


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km416c254d, km416v254d cmos dram
tASC,tCAH是 关联 至 这 早期CASrising 边缘.
tCP是 指定 从 这 lastCASrising 边缘 在 这 previous 循环 至 这 第一CAS下落 边缘 在 这 next 循环.
tCWD是 关联 至 这 后来的CAS下落 边缘 在 文字 red-modify-写 循环.
tCWL是 指定 从W下落 边缘 至 这 早期CASrising 边缘.
tCSR是 关联 至 早期CAS下落 低 在之前RAS转变 低.
tCHR是 关联 至 这 后来的CASrising 高 之后RAS转变 低.
tCSR tCHR
RAS
LCAS
UCAS
tDS tDH
LCAS
dq0 ~ dq15
Din
20.
18.
17.
16.
13.
15.
14.
19.
UCAS
W
tDS, tDH是 指定 为 这 早期CAS下落 低.
ftRASS
100us, 然后RASprecharge 时间 必须 使用tRPSinstead 的tRP.
RAS-仅有的 refresh 和 burstCAS-在之前-RASrefresh 模式, 512(512k) 循环 的 burst refresh 必须 是 executed 在里面 8ms
在之前 和 之后 自 refresh, 在 顺序 至 满足 refresh 规格.
为 distributedCAS-在之前-RAS和 15.6us 间隔,CAS-在之前-RASrefresh 应当 是 executed 和 在 15.6us 立即
在之前 和 之后 自 refresh 在 顺序 至 满足 refresh 规格.
21.
22.
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