逻辑 输入 配置
(持续)
应用 Hints
支撑 电容
支撑 步伐, acquisition 时间, 和 droop 比率 是 这 主要的
trade-offs 在 这 选择 的 一个 支撑 电容 值. 大小 和
费用 将 也 变为 重要的 为 大 值. 使用 的 这
曲线 包含 和 这个 数据 薄板 应当 是 helpful 在 se-
lecting 一个 合理的 值 的 电容. 保持 在 mind 那
为 快 repetition 比率 或者 追踪 快 信号, 这 电容
驱动 电流 将 导致 一个 重大的 温度 上升 在
这 lf198.
一个 重大的 源 的 错误 在 一个 精确 样本 和 支撑
电路 是 dielectric absorption 在 这 支撑 电容. 一个 mylar
cap, 为 instance, 将 “sag back” 向上 至 0.2% 之后 一个 快
改变 在 电压. 一个 长 样本 时间 是 必需的 在之前 这
电路 能 是 放 后面的 在 这 支撑 模式 和 这个 类型 的
电容. Dielectrics 和 非常 低 hysteresis 是 polysty-
rene, polypropylene, 和 teflon. 其它 类型 此类 作 mica
和 polycarbonate 是 不 nearly 作 好的. 这 有利因素 的
polypropylene 在 polystyrene 是 那 它 extends 这 maxi-
mum 包围的 温度 从 85˚C 至 100˚c. 大多数 ce-
ramic 电容 是 unusable 和
>
1% hysteresis. ce-
ramic “NPO” 或者 “COG” 电容 是 now 有 为
125˚C 运作 和 也 有 低 dielectric absorption. 为
更多 精确的 数据, 看 这 曲线
Dielectric Absorption 错误.
这 hysteresis 号码 在 这 曲线 是 最终 值, 带去
之后 全部 relaxation. 这 hysteresis 错误 能 是 significantly
减少 如果 这 输出 的 这 LF198 是 digitized quickly 之后
这 支撑 模式 是 initiated. 这 hysteresis relaxation 时间
常量 在 polypropylene, 为 instance, 是 10 — 50 ms. 如果
一个-至-d 转换 能 是 制造 在里面 1 ms, hysteresis 错误
将 是 减少 用 一个 因素 的 ten.
直流 和 交流 Zeroing
直流 zeroing 是 accomplished 用 连接 这 补偿 调整
管脚 至 这 wiper ofa1k
Ω
分压器 这个 有 一个 终止
系 至 V
+
和 这 其它 终止 系 通过 一个 电阻 至 地面.
这 电阻 应当 是 选择 至 给
≈
0.6 毫安 通过 这
1k 分压器.
交流 zeroing (支撑 步伐 zeroing) 能 是 得到 用 adding 一个
反相器 和 这 调整 pot 系 输入 至 输出. 一个 10 pF
电容 从 这 wiper 至 这 支撑 电容 将 给
±
4mV
支撑 步伐 调整 和 一个 0.01 µF 支撑 电容 和 5V
逻辑 供应. 为 大 逻辑 swings, 一个 小 电容
(
<
10 pf) 将 是 使用.
逻辑 上升 时间
为 恰当的 运作, 逻辑 信号 在 这 LF198 必须 有
一个 最小 dv/dt 的 1.0 v/µs. Slower 信号 将 导致 ex-
cessive 支撑 步伐. 如果 一个 r/c 网络 是 使用 在 front 的 这
CMOS
7V
≤
V
逻辑
(hi 状态)
≤
15V
ds005692-35
门槛 = 0.6 (v
+
) + 1.4v
ds005692-36
门槛 = 0.6 (v
+
) − 1.4v
运算 放大 驱动
ds005692-37
门槛
≈
+4V
ds005692-38
门槛 = −4V
lf198/lf298/lf398, lf198a/lf398a
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