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(持续)
一个 可能 drawback 的 这 scheme 在
图示 7
是 慢 tran-
sient 恢复 速. 自从 这 5 k
Ω
电阻 和 这 0.1 µF
电容 有 一个 大 时间 常量, 这 安排好 的 要点 C
至 它的 稳步的 状态 值 在 一个 加载 瞬时 将 引领 一个
few milliseconds. 取决于 在 这 interaction 在 这
补偿 网络 和 这 0.1 µF 电容, V
核心
将
引领 不同的 routes 至 reach 它的 稳步的 状态 值. 这个 是
undesired 当 这 加载 过往旅客 发生 更多 比 1000
时间 每 第二. 减少 这 时间 常量 将 结果 在 一个
更多 fluctuating V
C
预定的 至 一个 较少 有效的 低 通过 过滤.
Fine tuning 这 参数 将 balance 这 tradeoffs.
另一 方法 至 执行 这 动态 电压 安置 是
通过 这 使用 的 一个 保卫-alone 电阻, 此类 作 这 4 m
Ω
电阻 在
图示 8
在之上. 这 有利因素 的 这个 implemen-
tation 在 这 previous 一个 是 一个 更 faster 速 的 V
核心
从 瞬时 水平的 至 稳步的 状态 水平的. 这 disadvantage
是 较少 效率. 这 总的 电源 丧失 能 是 0.78w 在 14A
的 加载 电流. 这 费用 的 这 电阻 能 是 使减少到最低限度 用
implementing 它 通过 一个 PCB 查出.
涉及 电压
这 V
REF
管脚 能 有 许多 使用, 此类 作 在 这 看门狗
电路系统 和 在 一个 LDO 控制.
图示 9
显示 一个 applica-
tion 在哪里 V
REF
是 使用 至 build 一个 n-场效应晶体管 LDO 控制. 一个
适合的 补偿 网络 是 需要 至 tailor 这
动态 效能 的 这 全部的 电源 供应.
PCB 布局 仔细考虑
那里 是 一些 点 至 考虑.
1. 尝试 至 使用 2 oz. 铜 为 这 地面 平面 如果 tight 加载
规章制度 是 desired. 在 这 情况 的 动态 电压 po-
sitioning, 这个 将 不 是 一个 concern 因为 这 loose
加载 规章制度 是 desired anyway. 不管怎样, 做 不 为-
得到 至 引领 在 仔细考虑 这 电压 漏出 造成 用
这 地面 平面 当 calculating 动态 电压 po-
sitioning 参数.
2. 尝试 至 保持 门 查出 短的. 不管怎样, 做 不 制造
它们 too 短的 或者 else 这 LM2635 将 停留 too 关闭 至
这 MOSFETs 和 得到 heated 向上 用 它们. 为 这 一样
reason, 做 不 使用 宽 查出, 10 mil 查出 应当 是
足够的.
3. 当 不 employing 动态 电压 安置, 放置
这 反馈 要点 在 这 VRM 连接器 管脚 至 有 一个
tight 加载 规章制度. 如果 它 是 一个 在-板 电源 供应,
放置 这 反馈 要点 在 Slot I 连接器 或者 wherever
是 closest 至 这 mpu.
4. 开始 组件 placement 和 这 电源 设备 此类
作 MOSFETs 和 inductors.
5. 做 不 放置 这 LM2635 直接地 underneath 这 mos-
FETs 当 当 表面 挂载 MOSFETs 是 使用.
6. 如果 可能, 保持 这 电容 一些 距离 away
从 这 inductors 所以 那 这 电容 将 有 一个
更小的 温度 环境.
7. 当 implementing 动态 电压 安置
通过 一个 PCB 查出, 是 知道 那 这 PCB 查出 是 一个
热温 源 和 尝试 至 避免 放置 这 查出 直接地 un-
derneath 这 lm2635.
ds100119-27
图示 8. 动态 电压 安置 用 使用 一个
保卫-alone 电阻
ds100119-28
图示 9. V
REF
使用 在 一个 n-场效应晶体管 LDO 供应
LM2635
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