绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
电压 从 这 表明 管脚 至 地
AVIN −0.3v 至 +26V
PVIN −0.3v 至 (av
在
+0.3v)
CBOOT −0.3v 至 +33V
CBOOT 至 SW −0.3v 至 +7V
fb, sd, ss, PGOOD −0.3v 至 +7V
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
接合面 温度 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 10 秒.) 260˚C
最小 静电释放 比率 1.5 kV
运行 范围
接合面
温度
−40˚C 至 +125˚C
AVIN 至 地 4.5v 至 24V
PVIN 4.5v 至 24V
电的 特性
规格 和 标准 typeface 是 为 T
J
= 25˚c, 和 那些 在
黑体字
类型 应用 在 这 全部
运行 温度 范围
(t
J
= −40˚C 至 +125˚c). 最小 和 最大 限制 是 guaran-
teed 通过 测试, 设计 或者 statistical correlation. 典型 值 代表 这 大多数 likely 参数 norm 在 T
J
= 25˚C 和
是 提供 为 涉及 目的 仅有的. 除非 否则 指定 V
在
= 12v.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
FB
反馈 管脚 电压 V
在
= 4.5v 至 24V
I
SW
=0Ato3A
1.225
1.254
1.282
V
I
CL
转变 电流 限制 V
CBOOT
=V
SW
+5V
3.6
4.9
6.4
一个
R
ds_在
转变 在 阻抗 I
SW
= 3A 0.13
0.22
Ω
I
Q
运行 安静的 电流 V
FB
= 1.5v 1.3
2
毫安
V
UVLO
AVIN 下面 电压 Lockout Rising V
在
3.9
4.125
4.3
V
V
UVLO HYS
AVIN 下面 电压 Lockout Hysteresis 60
120
mV
I
SD
关闭 安静的 电流 V
SD
=0V 12
25
µA
k
在
转变 在-时间 常量 I
在
=50µAto100µA
50
66
82
µA µs
V
DON
R
在
电压
0.35
0.65
0.95
V
T
止_最小值
最小 止 时间 FB = 1.24v
FB=0V
165
12
250
30
ns
µs
T
在 最小值
最小 在-时间
400
ns
V
EXTV
CC
EXTV
CC
电压
3.30
3.65
4.00
V
∆
V
EXTV
CC
EXTV
CC
加载 规章制度 I
EXTV
CC
= 0 µA 至 50 µA 0.03
0.5
%
V
PWRGD
PGOOD 门槛 (pgood 转变
从 低 至 高)
和 遵守 至 V
FB
91.5
93.5
95.5
%
V
pg_hys
PGOOD Hysteresis 1
2.1
%
I
OL
PGOOD 低 下沉 电流 V
PGOOD
= 0.4v
0.5
2mA
I
OH
PGOOD 高 泄漏 电流 50 nA
I
FB
反馈 管脚 偏差 电流 V
FB
= 1.2v 0 nA
I
ss_源
软-开始 管脚 源 电流 V
SS
=0V
0.7
1
1.4
µA
I
SS 下沉
软-开始 管脚 下沉 电流 V
SS
= 1.2v
V
SD
=0V
15 毫安
I
SD
关闭 拉-向上 电流 V
SD
=0V 1
3
µA
V
IH
SD 管脚 最小 高 输入 水平的
1.8
V
V
IL
SD 管脚 最大 低 输入 水平的
0.6
V
θ
j-一个
热的 阻抗 35.1 ˚c/w
便条 1:
绝对 最大 比率 表明 限制 在之外 这个 损坏 将 出现 至 这 设备. 运行 比率 表明 情况 为 这个 这 设备 是
将 至 是 函数的, 但是 做 不 保证 明确的 效能 限制. 为 有保证的 规格, 看 电的 特性.
便条 2:
没有 PCB 铜 增强. 这 最大 电源 消耗 必须 是 derated 在 提升 温度 和 是 限制 用 T
JMAX
(最大 接合面
温度),
θ
j-一个
(接合面 至 包围的 热的 阻抗) 和 T
一个
(包围的 温度). 这 最大 电源 消耗 在 任何 温度 是: P
DissMAX
=(t
JMAX
-t
一个
)/
θ
j-一个
向上 至 这 值 列表 在 这 绝对 最大 比率.
θ
j-一个
为 tssop-16 包装 是 38.1˚c/w, T
JMAX
= 125˚c.
LM2696
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