TMS28F010B
131072 用 8-位
flash 记忆
smjs824b – 将 1995 – 修订 8月 1997
1
邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
D
organization . . . 131072 用 8 位
D
管脚 兼容 和 存在 1-megabit
EPROMs
D
V
CC
容忍
±
10%
D
所有 输入/输出 ttl 兼容
D
最大 进入/最小 循环 时间
’28f010b-90 90 ns
’28f010b-10 100 ns
’28f010b-12 120 ns
’28f010b-15 150 ns
D
工业-标准 程序编制 algorithm
D
pep4 版本 有 和 168-小时
烧-在, 和 选择 的 运行
温度 范围
D
100000 和 10000 程序/擦掉-循环
版本 有
D
latchup 免除 的 250 毫安 在 所有 输入
和 输出 线条
D
低 电源 消耗 (V
CC
= 5.5 v)
–active 写 . . . 55 mw
–active read...165 mw
–electrical erase...82.5 mw
–Standby . . . 0.55 mw
(cmos-输入 水平)
D
automotive 温度 范围
– 40
°
c 至 125
°
C
描述
这 tms28f010b 是 一个 131072 用 8 位 (1048576-位), 可编程序的 读-仅有的 记忆 那 能 是 用电气
大(量)-erased 和 reprogrammed. 它 是 有 在 100000 和 10000 程序/擦掉-忍耐力-循环
版本.
这 tms28f010b flash 记忆 是 offered 在 一个 32-含铅的 塑料 含铅的 碎片-运输车 包装 (显示 在之上)
使用 1,25-mm (50-mil) 含铅的 间隔 (fm 后缀), 一个 32-含铅的 薄的 小-外形 包装 (dd 后缀), 和 一个 反转
引脚 tsop 包装 (du 后缀)两个都 显示 在 这 下列的 页.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
A0– A16 地址 输入
DQ0 – DQ7 输入 (程序编制) / 输出
E
碎片 使能
G
输出 使能
NC 非 内部的 连接
V
CC
5-v 电源 供应
V
PP
12-v 电源 供应
†
V
SS
地面
W
写 使能
管脚 命名法
3213231
14
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
430
15 16 17 18 19
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
A12
A15
A16
V
W
NC
fm 包装
( 顶 视图 )
20
DQ6
PP
V
CC
V
SS
†
仅有的 在 程序 模式
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
版权
1997, 德州 器械 组成公司的
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