半导体 组件 industries, llc, 2004
六月, 2004 − rev. 3
1
发行 顺序 号码:
bc846bpdw1t1/d
bc846bpdw1t1,
bc847bpdw1t1 序列,
bc848cpdw1t1 序列
双 一般 目的
晶体管
npn/pnp duals (complimentary)
这些 晶体管 是 设计 为 一般 目的 放大器
产品. 它们 是 housed 在 这 sot−363/sc−88 这个 是
设计 为 低 电源 表面 挂载 产品.
特性
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率 − npn
比率 标识 值 单位
集电级-发射级 电压 BC846
BC847
BC848
V
CEO
65
45
30
V
集电级-根基 电压 BC846
BC847
BC848
V
CBO
80
50
30
V
emitter−base 电压 V
EBO
6.0 V
集电级 电流 − 持续的 I
C
100 mAdc
最大 比率 − pnp
比率 标识 值 单位
集电级-发射级 电压 BC846
BC847
BC848
V
CEO
−65
−45
−30
V
集电级-根基 电压 BC846
BC847
BC848
V
CBO
−80
−50
−30
V
emitter−base 电压 V
EBO
−5.0 V
集电级 电流 − 持续的 I
C
−100 mAdc
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗
每 设备
FR−5 板 (便条 1) t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
380
250
3.0
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
Junction−to−Ambient
R
JA
328
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
−55 至 +150
°
C
1. fr−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 在.
http://onsemi.com
SOT−363
情况 419b
样式 1
标记
图解
Q
1
(1)(2)
(3)
(4) (5) (6)
Q
2
xx = 设备 代号
d = 日期 代号
XX
d
1
6
1
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
BC846BPDW1T1 SOT−363 3000 单位/卷轴
BC847BPDW1T1 SOT−363 3000 单位/卷轴
BC847CPDW1T1 SOT−363 3000 单位/卷轴
BC848CPDW1T1 SOT−363 3000 单位/卷轴
BC847BPDW1T1G SOT−363
(pb−free)
3000 单位/卷轴
BB
BF
BG
BL
BF
Mark
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