数据 薄板 非. pd60139j
IR2105
典型 连接
包装
产品 summary
V
补偿
600v 最大值
I
O
+/- 130 毫安 / 270 毫安
V
输出
10 - 20v
t
开关
(典型值.) 680 &放大; 150 ns
deadtime (典型值.) 520ns
half 桥 驱动器
特性
•
floating 频道 设计 为 自举 运作
全部地 运算的 至 +600v
tolerant 至 负的 瞬时 电压
dv/dt 不受影响
•
门 驱动 供应 范围 从 10 至 20v
•
欠压 lockout
•
5v 施密特-triggered 输入 逻辑
•
交叉-传导 prevention 逻辑
•
内部 设置 deadtime
•
高 一侧 输出 在 阶段 和 输入
•
相一致 传播 延迟 为 两个都 途径
描述
这 ir2105 是 一个 高 电压, 高 速 电源
场效应晶体管 和 igbt 驱动器 和 依赖 高 和
低 一侧 关联 输出 途径. 专卖的
hvic 和 获得 不受影响 cmos 科技 en-
能 加固 大而单一的 构建. 这 逻辑
输入 是 兼容 和 标准 cmos 或者 lsttl
输出. 这 输出 驱动器 特性 一个 高 脉冲波
电流 缓存区 平台 设计 为 最小 驱动器
交叉-传导. 这 floating 频道 能 是 使用
至 驱动 一个 n-频道 电源 场效应晶体管 或者 igbt 在
这 高 一侧 配置 这个 运作 从 10
至 600 伏特.
V
CC
V
B
V
S
HO
LO
COM
在
在
向上 至 600v
至
加载
V
CC
8 含铅的 pdip
8 含铅的 soic