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资料编号:406823
 
资料名称:IR2105S
 
文件大小: 134.88K
   
说明
 
介绍:
High Voltage, High Speed Power MOSFET and IGBT Driver
 
 


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8
IR2105
www.irf.com
图示 10a. 转变 止 下降 时间
vs 温度
转变-止 下降 时间 (ns)
转变-止 下降 时间 (ns)
图示 10b. 转变 止 下降 时间 vs 电压
温度 (
o
c)
温度 (
o
c)
vbias 供应 电压 (v)
deadtime (ns)
图示 11b. deadtime vs 电压
deadtime (ns)
图示 11a. deadtime vs 温度
输入 电压 (v)
输入 电压 (v)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50 -25 0 25 50 75 100 125
最小值
温度 (
o
c)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10 12 14 16 18 20
Min .
vbias 供应 电压 (v)
figure12a. 逻辑 "1" (ho) &放大; 逻辑 "0" (lo)
输入 电压 vs 温度
图示 12b. 逻辑 "1" (ho) &放大; 逻辑 "0" (lo)
输入 电压 vs 电压
0
50
100
150
200
-50 -25 0 25 50 75 100 125
毫安 x .
Typ.
温度 (
o
c)
0
50
100
150
200
10 12 14 16 18 20
毫安x .
Typ.
vbias 供应 电压 (v)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10 12 14 16 18 20
最大值.
Typ.
最小值
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
-50 -25 0 25 50 75 100 125
最大值.
Ty
最小值
p.
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