PROFET
®
bts 640 s2
半导体 组 页 1 的 15 2003-oct-01
smart sense 高-一侧
电源 转变
特性
•
短的 电路 保护
•
电流 限制
•
均衡的 加载 电流 sense
•
cmos 兼容 输入
•
打开 流 diagnostic 输出
•
快 demagnetization 的 inductive 负载
•
欠压 和 超（电）压 关闭 和
自动-重新开始 和 hysteresis
•
超载 保护
•
热的 关闭
•
超（电）压 保护 包含 加载 丢弃 (和
外部 地-电阻)
•
反转 电池 保护 (和 外部 地-电阻)
•
丧失 的 地面 和 丧失 的
V
bb
保护
•
E
lectro
s
tatic
d
ischarge (
静电释放
) 保护
应用
•
µ
c 兼容 电源 转变 和 diagnostic 反馈 为 12 v 和 24 v 直流 grounded 负载
•
所有 类型 的 resistive, inductive 和 capacitve 负载
•
替代 electromechanical 接转, fuses 和 分离的 电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 和 承担 打气, 地面 关联 cmos 兼容 输入 和 diagnostic
反馈, 均衡的 sense 的 加载 电流, monolithically 整体的 在 smart sipmos
技术.
供应 embedded protective 功能.
块 图解
在
ST
静电释放
逻辑
电压
传感器
电压
源
承担 打气
水平的 shifter
温度
传感器
整流器
限制 为
unclamped
ind. 负载
门
保护
电流
限制
3
1
信号 地
地
2
V
逻辑
超（电）压
保护
+ v
bb
PROFET
输出
4
6, 7
加载 地
加载
地
R
O
电流
Sense
输出
电压
发现
R
是
是
5
I
是
I
L
产品 summary
运行 电压
V
bb(在)
5.0 ... 34 V
在-状态 阻抗 R
在
30
m
Ω
加载 电流 (iso) I
l(iso)
12.6 一个
电流 限制 I
l(scr)
24 一个
包装
to220-7-11 to263-7-2 to220-7-12
1 1 1
标准 (staggered) smd 笔直地
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