首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:342270
 
资料名称:IRG4PH40UD
 
文件大小: 220.5K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号IRG4PH40UD的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号IRG4PH40UD的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号IRG4PH40UD的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号IRG4PH40UD的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号IRG4PH40UD的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号IRG4PH40UD的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号IRG4PH40UD的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号IRG4PH40UD的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
7/7/2000
IRG4PH40UD
insulated 门 双极 晶体管 和
ultrafast 软 恢复 二极管
FeaturesFeatures
FeaturesFeatures
特性
E
G
n-频道
C
V
CES
= 1200v
V
ce(在) 典型值
=
2.43v
@V
GE
= 15v, i
C
= 21a
ultrafast copack igbt
• ultrafast: 优化 为 高 运行
>200 khz 在 resonant 模式
• 新 igbt 设计 提供 tighter
参数 分发 和 高等级的 效率 比
previous generations
• igbt co-packaged 和 hexfred
TM
ultrafast,
过激-软-恢复 反对-并行的 二极管 为 使用 在
桥 配置
• 工业 标准 至-247ac 包装
益处
• 高等级的 切换 频率 能力 比
competitive igbts
• 最高的 效率 有
• hexfred 二极管 优化 为 效能 和
igbt's . 使减少到最低限度 恢复 特性 需要
较少/非 snubbing
pd- 91621b
至-247ac
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 损坏 电压 1200 V
I
C
@ t
C
= 25
°
C 持续的 集电级 电流 41
I
C
@ t
C
= 100
°
C 持续的 集电级 电流 21
I
CM
搏动 集电级 电流
82
I
LM
clamped inductive 加载 电流
82 一个
I
F
@ t
C
= 100
°
C 二极管 持续的 向前 电流 8.0
I
FM
二极管 最大 向前 电流 130
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
P
D
@ t
C
= 25
°
C 最大 电源 消耗 160
P
D
@ t
C
= 100
°
C 最大 电源 消耗 65
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况 )
°
C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf
在 (1.1n
m)
绝对 最大 比率
W
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 - igbt
––– –––
0.77
R
θ
JC
接合面-至-情况 - 二极管
––– –––
1.7
°
c/w
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面
–––
0.24
–––
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载
––– –––
40
Wt 重量
–––
6 (0.21)
–––
g (oz)
热的 阻抗
www.irf.com 1
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com