飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHP45N03LT
逻辑 水平的 场效应晶体管
特性 标识 快 涉及 数据
•
’Trench’
技术
V
DSS
= 30 v
• 非常 低 在-状态 阻抗
• 快 切换
I
D
= 45 一个
• 稳固的 止-状态 特性
• 高 热的 cycling 效能
R
ds(在)
≤
24 m
Ω
(v
GS
= 5 v)
• 低 热的 阻抗
R
ds(在)
≤
21 m
Ω
(v
GS
= 10 v)
一般 描述 固定 sot78 (to220ab)
n-频道 增强 模式
管脚 描述
逻辑 水平的 地方-效应 电源
晶体管 在 一个 塑料 封套 1 门
使用 ’
trench
’ 技术. 这
设备 有 非常 低 在-状态 2 流
阻抗. 它 是 将 为 使用 在
直流 至 直流 转换器 和 一般 3 源
目的 切换 产品.
tab 流
这 PHP45N03LT 是 有提供的 在 这
SOT78 (to220ab) 常规的
含铅的 包装.
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 - - 30 V
V
DGR
流-门 电压 R
GS
= 20 k
Ω
-30v
±
V
GS
门-源 电压 - - 15 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
= 25 ˚c - 45 一个
I
D
流 电流 (直流) T
mb
= 100 ˚c - 36 一个
I
DM
流 电流 (脉冲波 顶峰 值) T
mb
= 25 ˚c - 180 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
= 25 ˚c - 86 W
T
stg
, t
j
存储 &放大; 运行 温度 - - 55 175 ˚C
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 接合面 至 - - 1.75 k/w
挂载 根基
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 至 在 自由 空气 60 - k/w
包围的
d
g
s
123
tab
十一月 1997 1 rev 1.200
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