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信息 陈设 用 相似物 设备 是 相信 至 是 精确 和
可依靠的. 不管怎样, 非 责任 是 assumed 用 相似物 设备 为 它的
使用, 也不 为 任何 infringements 的 专利权 或者 其它 权利 的 第三 部 那
将 结果 从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者 否则
下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 相似物 设备.
一个
adg819/adg820
一个 技术 方法, p.o. 盒 9106, norwood, 毫安 02062-9106, 美国
电话: 781/329-4700www.相似物.com
传真: 781/326-8703 © 相似物 设备, inc., 2002
0.5
CMOS
1.8 v 至 5.5 v 2:1 mux/spdt switches
函数的 块 图解
adg819/
ADG820
在
S1
S2
D
switches 显示
为 一个 逻辑 “1” 输入
特性
低 在 阻抗 0.8
最大值 在 125
C
0.25
最大值 在 阻抗 flatness
1.8 v 至 5.5 v 单独的 供应
200 毫安 电流 carrying 能力
automotive 温度 范围: –40
c 至 +125
C
栏杆-至-栏杆 运作
6-含铅的 sot-23 包装, 8-含铅的
soic 包装, 和
6-bump microcsp (微观的 碎片 规模 包装)ADG819
快 切换 时间
典型 电源 消耗量 (<0.01
w)
ttl-/cmos-兼容 输入
管脚 兼容 和 这 adg719 (adg819)
产品
电源 routing
电池-powered 系统
交流 系统
数据 acquisition 系统
cellular phones
Modems
pcmcia cards
hard 驱动
接转 替换
一般 描述
这 adg819 和 这 adg820 是 大而单一的, cmos, spdt
(单独的-柱子, 翻倍-throw) switches. 这些 switches 是 designed
在 一个 submicron 处理 那 提供 低 电源 消耗 还
给 高 切换 速, 低 在 阻抗, 和 低 泄漏
电流.
低 电源 消耗量 和 一个 运行 供应 范围 的 1.8 V
至5.5 v 制造 这 adg819 和 adg820 完美的 为 电池-pow-
ered, 可携带的 器械.
各自 转变 的 这 adg819 和 这 adg820 conducts equally
好 在 两个都 方向 当 在. 这 adg819 exhibits 破裂-
在之前-制造 切换 action, 因此 阻止 momentary shorting
当 切换 途径. 这 adg820 exhibits 制造-在之前-
破裂 action.
这 adg819 和 这 adg820 是 有 在 一个 6-含铅的 sot-23
包装 和 一个 8-含铅的
µ
soic 包装. 这 adg819 是 也
有 在 一个 2
×
3bump 1.14 mm
×
2.18 mm microcsp
包装.这个碎片 occupies 仅有的 一个 1.14 mm
×
2.18 mm 范围,
制造 它 这 完美的 candidate 为 空间-constrained 产品.
产品 最好的部分
1. 非常 低 在 阻抗, 0.5
Ω
典型
2. 1.8 v 至 5.5 v 单独的-供应 运作
3. 高 电流 carrying 能力
4. tiny 6-含铅的 sot-23 包装, 8-含铅的
µ
soic 包装,
和 2
×
3 bump 1.14 mm
×
2.18 mm microcsp 包装
(adg819 仅有的)
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