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资料编号:627806
 
资料名称:SUD40N10-25
 
文件大小: 62.6K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 100-V (D-S) 175`C MOSFET
 
 


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sud40n10-25
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71140
s–00171—rev. 一个, 14-二月-00
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
n-频道 100-v (d-s) 175
c 场效应晶体管
 
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
100
0.025 @ v
GS
= 10 v 40
100
= 4.5 v 38
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
至-252
SGD
顶 视图
流 连接 至 tab
顺序 号码:
sud40n10-25
   

   
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
100
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流 (t
J
=175
c)
b
T
C
= 25
C
I
D
40
一个
持续的 流 电流 (t
J
= 175
c)
b
T
C
= 125
C
I
D
23
一个
搏动 流 电流 I
DM
70
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导) I
S
40
avalanche 电流 I
AR
40
repetitive avalanche 活力 (职责 循环
1%) l = 0.1 mh E
AR
80 mJ
最大 电源 消耗
T
C
= 25
C
P
D
33
b
wmaximum 电源 消耗
T
一个
= 25
C
P
D
3
一个
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
C
  
参数 标识 典型 最大 单位
接合面-至-包围的
一个
t
10 秒
R
thJA
15 18
c/w
接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
40 50
c/w
接合面-至-情况 R
thJC
1.2 1.5
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x1” fr4 板.
b. 看 soa 曲线 为 电压 减额.
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