IHW15N120R2
软 切换 序列
电源 半导体
1 rev. 1.2 将 06
反转 组织 igbt 和 大而单一的 身体 二极管
特性:
•
powerful 大而单一的 身体 二极管 和 非常 低 向前 电压
•
身体 二极管 clamps 负的 电压
•
trench 和 fieldstop 技术 为 1200 v 产品 提供 :
- 非常 tight 参数 分发
- 高 强壮, 温度 稳固的 行为
•
低 emi
•
qualified 符合 至 电子元件工业联合会
1
为 目标 产品
•
铅-自由 含铅的 镀层; rohs 一致的
•
完全 产品 spectrum 和 pspice 模型 :
http://www.infineon.com/igbt/
产品:
•
inductive cooking
•
软 切换 产品
类型
V
CE
I
C
V
ce(sat
),tj=25°c
T
j,最大值
标记 包装
ihw15n120r2 1200v 15a 1.5v
175
°
C
h15r1202 pg-至-247-3-21
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 v
直流 集电级 电流
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
C
30
15
搏动 集电级 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Cpuls
45
转变 止 safe 运行 范围 (
V
CE
≤
1200v,
T
j
≤
175
°
c)
-
45
二极管 向前 电流
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
F
30
15
二极管 搏动 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Fpuls
45
二极管 surge 非 repetitive 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
T
C
= 25
°
c,
t
p
= 10ms, sine halfwave
T
C
= 25
°
c,
t
p
≤
2.5µs, sine halfwave
T
C
= 100
°
c,
t
p
≤
2.5µs, sine halfwave
I
FSM
50
130
120
一个
门-发射级 电压
瞬时 门-发射级 电压 (
t
p
< 5 ms)
V
GE
±
20
±
25
V
电源 消耗
T
C
= 25
°
C
P
tot
357 w
运行 接合面 温度
T
j
-40...+175
存储 温度
T
stg
-55...+175
焊接 温度, 1.6mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s - 260
°
C
挂载 torque
M
s
0.6 nm
1
j-标准-020 和 jesd-022
G
C
E
pg-至-247-3-21
: 点此下载
