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资料编号:607702
 
资料名称:SI2304
 
文件大小: 270.85K
   
说明
 
介绍:
N-channel enhancement mode field-effect transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SI2304DS
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
rev. 01 — 17 8月 2001 产品 数据
M3D088
1. 描述
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管 在 一个 塑料 包装 使用
TrenchMOS™
1
技术
产品 有效性:
si2304ds 在 sot23.
2. 特性
trenchmos™ 技术
非常 快 切换
subminiature 表面 挂载 包装.
3. 产品
电池 管理
高 速 转变
低 电源 直流 至 直流 转换器.
4. 固定 信息
1. trenchmos 是 一个 商标 的 koninklijke 飞利浦 electronics n.v.
表格 1: 固定 - sot23, simplified 外形 和 标识
管脚 描述 simplified 外形 标识
1 门 (g)
SOT23
2 源 (s)
3 流 (d)
MSB003
顶 视图
12
3
s
d
g
MBB076
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