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1985
数据 薄板
硅 晶体管
FA1A4M
特性
• 电阻器 建造-在 类型
B
R
1
E
R
2
C
• complementary 至 fn1a4m
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
集电级 至 根基 电压 V
CBO
60 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
50 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
10 V
集电级 电流 (直流) I
C
100 毫安
集电级 电流 (脉冲波) I
C
200 毫安
总的 电源 消耗 P
T
200 mW
(t
一个
= 25 ˚c)
接合面 温度 T
J
150 ˚C
存储 温度 范围 T
stg
–55 至 +150 ˚C
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 截止 电流 I
CBO
100 nA
V
CB
= 50 v, i
E
= 0
直流 电流 增益 h
FE1
* 35 62 100 V
CE
= 5.0 v, i
C
= 5.0 毫安
直流 电流 增益 h
FE2
* 80 230 V
CE
= 5.0 v, i
C
= 50 毫安
集电级 饱和 电压 V
ce(sat)
* 0.05 0.2 V I
C
= 5.0 毫安, i
B
= 0.25 毫安
低-水平的 输入 电压 V
IL
* 1.08 0.8 V V
CE
= 5.0, i
C
= 100
µ
一个
高-水平的 输入 电压 V
IH
* 3.0 1.4 V V
CE
= 0.2 v, i
C
= 5.0 毫安
输入 电阻 R
1
7.0 10 13 k
Ω
电阻 比率 R
1
/r
2
0.9 1.0 1.1
转变-在 时间 t
在
0.06 0.2
µ
sV
CC
= 5 v, v
在
= 5 v
存储 时间 t
stg
2.0 5.0
µ
s
R
L
= 1 k
Ω
转变-止 时间 t
止
2.15 6.0
µ
s
pw = 2
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
* 搏动: pw = 350
µ
s, 职责 循环 = 2 %
中等 速 切换
电阻 建造-在 类型 npn 晶体管
迷你 模型
包装 维度
在 毫米
文档 非. d10215ej3v0ds00 (3rd 版本)
(previous 非. tc-1654)
日期 发行 october 1995 p
打印 在 日本
2.8±0.2
1.5 0.65
2.9±0.2
0.950.95
2
1
3
0.4
0.4
+0.1
–0.15
标记
0.3
0 至 0.1
1.1 至 1.4
0.16
electrode 连接
1. 发射级
2. 根基
3. 集电级
标记 : l33
+0.1
–0.05
+0.1
–0.05
+0.1
–0.06
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