©2001 仙童 半导体 公司 hgtg11n120cnd rev. b
HGTG11N120CND
43a, 1200v, npt 序列 n-频道 igbt
和 反对-并行的 hyperfast 二极管
这 hgtg11n120cnd 是 一个
N
在-
P
unch
T
hrough (npt)
igbt 设计. 这个 是 一个 新 成员 的 这 mos gated 高
电压 切换 igbt 家族. igbts 联合的 这 最好的
特性 的 mosfets 和 双极 晶体管. 这个 设备
有 这 高 输入 阻抗 的 一个 场效应晶体管 和 这 低
在-状态 传导 丧失 的 一个 双极 晶体管. 这 igbt
使用 是 这 开发 类型 ta49291. 这 二极管 使用 是
这 开发 类型 ta49189.
这 igbt 是 完美的 为 许多 高 电压 切换
产品 运行 在 moderate 发生率 在哪里 低
传导 losses 是 essential, 此类 作: 交流 和 直流 发动机
控制, 电源 供应 和 驱动器 为 solenoids, 接转
和 contactors.
formerly developmental 类型 ta49303.
特性
• 43a, 1200v, t
C
= 25
o
C
• 1200v 切换 soa 能力
• 典型 下降 时间 . . . . . . . . . . . . . . . . 340ns 在 t
J
= 150
o
C
• 短的 电路 比率
• 低 传导 丧失
•
热的 阻抗
额外的刺激 模型
www.fairchildsemi.com
包装
电子元件工业联合会 样式 至-247
标识
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
HGTG11N120CND 至-247 11N120CND
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码.
G
C
E
E
G
C
仙童 半导体 igbt 产品 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权
4,364,073 4,417,385 4,430,792 4,443,931 4,466,176 4,516,143 4,532,534 4,587,713
4,598,461 4,605,948 4,620,211 4,631,564 4,639,754 4,639,762 4,641,162 4,644,637
4,682,195 4,684,413 4,694,313 4,717,679 4,743,952 4,783,690 4,794,432 4,801,986
4,803,533 4,809,045 4,809,047 4,810,665 4,823,176 4,837,606 4,860,080 4,883,767
4,888,627 4,890,143 4,901,127 4,904,609 4,933,740 4,963,951 4,969,027
数据 薄板 12月 2001
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