十一月1995
2n7000 / 2n7002 / nds7002a
n-频道增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
___________________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数
2N7000 2N7002 NDS7002A
单位
V
DSS
流-源 电压 60 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
<1 m
Ω
)
60 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的
±
20
V
- 非 repetitive (tp < 50µs)
±
40
I
D
最大 流 电流 - 持续的 200 115 280 毫安
- 搏动 500 800 1500
P
D
最大电源 消耗 400 200 300 mW
derated 在之上 25
o
C 3.2 1.6 2.4 mw/°c
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 -65 至 150 °C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/16" 从 情况 为 10 秒
300 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 312.5 625 417 °c/w
2N7000.sam rev. a1
这些 n-channel 增强 模式 地方 效应 晶体管
是 生产 使用 仙童's 专卖的, 高 cell 密度,
dmos 技术. 这些 产品 有 被 设计 至
降低 在-状态 阻抗 当 提供 坚毅的, 可依靠的,
和 快 切换 效能.它们 能 是 使用 在 大多数
产品 需要 向上 至 400ma 直流 和 能 deliver
搏动 电流 向上 至 2a. 这些 产品 是 特别
suited 为 低 电压, 低 电流 产品 此类 作 小
伺服 发动机 控制, 电源 场效应晶体管 门 驱动器, 和 其它
切换 产品.
高 密度 cell 设计为低 r
ds(在)
.
电压 控制 小 信号 转变.
坚毅的 和 可依靠的.
高 饱和 电流 能力.
S
D
G
S
G
D
至-92
© 1997 仙童 半导体 公司
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