IRFIB5N50L
08/19/04
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smps 场效应晶体管
HEXFET
电源 场效应晶体管
至-220 全部-pak
S
D
G
特性 和 益处
•
•
•
•
产品
•
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•
•
V
DSS
R
ds(在)
典型值
Trr
典型值
I
D
500V
0.67
Ω
73ns 4.7一个
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
4.7
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
3.0 一个
I
DM
搏动 流 电流
16
P
D
@T
C
= 25°c
电源 消耗 42 W
直线的 减额 因素 0.33 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
d
19 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw
二极管 特性
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
I
S
持续的 源 电流 ––– ––– 4.7 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 一个 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 16 integral 反转
(身体 二极管)
Ã
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.5 V
T
J
= 25°c, i
S
= 4.0a, v
GS
= 0v
f
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 73 110 ns
T
J
= 25°c, i
F
= 4.0a
––– 99 150
T
J
= 125°c, di/dt = 100a/µs
f
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 200 310 nC
T
J
= 25°c, i
S
= 4.0a, v
GS
= 0v
f
––– 360 540
T
J
= 125°c, di/dt = 100a/µs
f
I
RRM
反转 恢复 电流 ––– 6.7 10 一个
T
J
= 25°c
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 ls+ld)
10lb
x
在 (1.1n
x
m)
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